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反射Z-扫描方法测量半导体InN的光学非线性 |
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| 中文摘要 | 第4-5页 | | Abstract | 第5-6页 | | 第一章 绪论 | 第9-18页 | | 1.1 非线性光学的发展 | 第9-11页 | | 1.2 半导体材料的研究背景 | 第11-16页 | | 1.2.1 半导体材料的特性和发展 | 第11-13页 | | 1.2.2 氮化铟材料的研究背景 | 第13-16页 | | 1.3 本论文的主要研究内容 | 第16-18页 | | 第二章 非线性光学测量技术 | 第18-29页 | | 2.1 非线性光学测量技术的发展 | 第18-20页 | | 2.2 透射Z-扫描技术 | 第20-25页 | | 2.2.1 透射Z-扫描技术的实验系统 | 第20-21页 | | 2.2.2 透射Z-扫描技术的原理 | 第21-25页 | | 2.3 反射Z-扫描技术 | 第25-28页 | | 2.3.1 反射Z-扫描技术的实验系统 | 第25-26页 | | 2.3.2 反射Z-扫描技术的理论模型 | 第26-28页 | | 2.4 本章小结 | 第28-29页 | | 第三章 反射Z-扫描方法测量氮化铟的光学非线性 | 第29-43页 | | 3.1 反射Z-扫描实验的相关分析 | 第29-38页 | | 3.1.1 反射Z-扫描实验中两种非线性效应的区分 | 第29-33页 | | 3.1.2 反射Z -扫描实验中移动透镜方法的讨论 | 第33-38页 | | 3.2 反射Z-扫描方法测量氮化铟的非线性折射和吸收 | 第38-41页 | | 3.2.1 实验样品及实验装置 | 第38-40页 | | 3.2.2 实验结果与分析 | 第40-41页 | | 3.3 本章小结 | 第41-43页 | | 第四章 氮化铟的飞秒Z-扫描测量 | 第43-48页 | | 4.1 实验装置和实验安排 | 第43页 | | 4.2 实验结果与分析 | 第43-47页 | | 4.3 本章小结 | 第47-48页 | | 第五章 结论 | 第48-49页 | | 参考文献 | 第49-56页 | | 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第56-57页 | | 致谢 | 第57-58页 |
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论文编号BS2841400，这篇论文共58页
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