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g-C₃N₄纳米光催化剂的改性及其活性提高的机制研究

论文目录

中文摘要	第3-4页
Abstract	第4页
第1章引言	第8-23页
1.1 半导体光催化技术的研究概述	第8-11页
1.1.1 半导体光催化技术简介	第8-10页
1.1.2 半导体光催化技术基本原理	第10-11页
1.2 石墨相氮化碳（g-C_3N_4）的研究现状	第11-14页
1.2.1 g-C_3N_4的性质	第11-13页
1.2.2 g-C_3N_4应用	第13-14页
1.3 g-C3N4纳米光催化剂	第14-17页
1.3.1 g-C_3N_4光催化基本原理	第14-15页
1.3.2 g-C_3N_4光催化影响因素	第15-17页
1.4 g-C_3N_4改性方法	第17-20页
1.4.1 形貌调控	第17-18页
1.4.2 掺杂改性	第18-19页
1.4.3 构建异质结	第19-20页
1.4.4 表面修饰	第20页
1.5 本论文立题的依据及内容意义	第20-23页
1.5.1 立题的依据	第20-22页
1.5.2 研究内容意义	第22-23页
第2章实验材料及实验方法	第23-32页
2.1 实验试剂和仪器	第23-24页
2.1.1 实验试剂	第23-24页
2.1.2 实验仪器	第24页
2.2 催化剂的表征方法	第24-29页
2.2.1 X-射线衍射	第24-25页
2.2.2 UV-Vis光谱	第25-27页
2.2.3 红外光谱	第27页
2.2.4 N2吸附脱附	第27页
2.2.5 原子力显微镜	第27-28页
2.2.6 X-射线光电子能谱	第28页
2.2.7 稳态表面光电压谱	第28-29页
2.2.8 光电化学测试系统	第29页
2.3 羟基自由自测试	第29-30页
2.4 电化学测试	第30页
2.5 催化剂光催化活性评价	第30-32页
2.5.1 液相降解苯酚	第30页
2.5.2 气相降解乙醛	第30-31页
2.5.3 光催化产氢	第31-32页
第3章硼酸修饰对g-C_3N_4光催化降解污染物性能影响	第32-44页
3.1 前言	第32-33页
3.2 实验部分	第33-34页
3.2.1 样品制备	第33页
3.2.2 材料表征	第33页
3.2.3 活性测试	第33-34页
3.3 结果与讨论	第34-43页
3.3.1 结构与组成	第34-37页
3.3.2 光生电荷的分离	第37-39页
3.3.3 光催化活性	第39-40页
3.3.4 机制讨论	第40-43页
3.4 本章小结	第43-44页
第4章硼酸盐修饰对g-C_3N_4析氢性能影响	第44-64页
4.1 前言	第44-45页
4.2 实验部分	第45页
4.2.1 材料表征	第45页
4.2.2 活性测试	第45页
4.2.3 制备方法	第45页
4.3.硼酸的产氢活性及机制讨论	第45-47页
4.4 Ni~(2+)取代氢离子的产氢活性及机理研究	第47-55页
4.4.1 结构表征	第47-49页
4.4.2 光生电荷的分离	第49-50页
4.4.3 光催化活性	第50-53页
4.4.4 机制讨论	第53-55页
4.5 Fe、Co取代氢离子的产氢活性及机理研究	第55-62页
4.5.1 结构表征	第55-57页
4.5.2 光生电荷的分离	第57-58页
4.5.3 光催化活性	第58-60页
4.5.4 机制讨论	第60-62页
4.6 本章小结	第62-64页
结论	第64-65页
参考文献	第65-75页
致谢	第75-76页
攻读学位期间发表的学术论文	第76页

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