|
|
|
|
氘在C及C-Si射频溅射共沉积层中的滞留特性研究 |
| |
| 论文目录 |
| |
| 摘要 | 第5-6页 | | Abstract | 第6-7页 | | 第一章 绪论 | 第8-20页 | | 1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 | | 1.2 聚变反应堆面壁材料与等离子体的相互作用(PWI) | 第9-13页 | | 1.3 PFMs的性能要求和选择 | 第13-15页 | | 1.4 C/Si-C材料在聚变中的应用 | 第15-16页 | | 1.5 H在PFMs中的滞留 | 第16-17页 | | 1.6 H同位素滞留的研究介绍 | 第17-18页 | | 1.7 选题依据和研究内容 | 第18-20页 | | 第二章 样品的制备方法和表征手段 | 第20-27页 | | 2.1 样品的制备方法 | 第20-21页 | | 2.1.1 磁控溅射技术介绍 | 第20-21页 | | 2.1.2 制备条件 | 第21页 | | 2.2 样品的表征 | 第21-27页 | | 2.2.1 离子束分析方法(RBS、ERD) | 第22-24页 | | 2.2.2 热脱附谱(TDS) | 第24页 | | 2.2.3 拉曼光谱(Raman)和傅里叶变换红外显微光谱(FTIR) | 第24-25页 | | 2.2.5 扫描电子显微镜(SEM) | 第25-27页 | | 第三章 含D碳-硅薄膜的制备及D的滞留特性研究 | 第27-40页 | | 3.1 引言 | 第27页 | | 3.2 样品的制备 | 第27-29页 | | 3.3 薄膜样品的结构分析 | 第29-32页 | | 3.4 样品的成分和D滞留分析 | 第32-37页 | | 3.5 薄膜样品的热脱附谱(TDS) | 第37-38页 | | 3.6 SEM观测结果 | 第38页 | | 3.7 小结 | 第38-40页 | | 第四章 含D的碳薄膜的制备和D的滞留研究 | 第40-44页 | | 4.1 含D的碳膜样品的制备 | 第40页 | | 4.2 离子束分析D的滞留 | 第40-43页 | | 4.3 小结 | 第43-44页 | | 第五章 总结和展望 | 第44-46页 | | 5.1 总结 | 第44-45页 | | 5.2 展望 | 第45-46页 | | 参考文献 | 第46-48页 | | 致谢 | 第48-50页 |
|
|
|
|
论文编号BS2869701，这篇论文共50页
会员购买按0.35元/页下载，共需支付17.5元。 直接购买按0.5元/页下载，共需要支付25元 。 |
 |
 |
我还不是会员，注册会员！
会员下载更优惠!充值送钱！ |
我只需要这篇，无需注册！
直接网上支付，方便快捷！ |
|
|
|
版权申明：本目录由www.jylw.com网站制作，本站并未收录原文，如果您是作者，需要删除本篇论文目录请通过QQ或其它联系方式告知我们，我们承诺24小时内删除。 |
|
|
广告服务