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InGaP/GaAs微波HBT器件及VCO电路的研究 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第1-6页 | | Abstract | 第6-8页 | | 目录 | 第8-11页 | | 第一章 引言 | 第11-13页 | | 第二章 文献综述 | 第13-35页 | | ·微波器件概述 | 第13-16页 | | ·微波器件常用材料体系 | 第13-15页 | | ·各种类型的微波器件 | 第15-16页 | | ·HBT的特点和研究概况 | 第16-22页 | | ·HBT的特点 | 第16-17页 | | ·HBT的研究概况 | 第17-19页 | | ·InGaP/GaAs HBT的特点和研究概况 | 第19-22页 | | ·HBT材料生长技术 | 第22-24页 | | ·MBE简介 | 第22页 | | ·MBE的基本原理 | 第22-23页 | | ·GSMBE技术简介 | 第23-24页 | | ·HBT的基本原理 | 第24-25页 | | ·HBT的主要特性 | 第25-33页 | | ·频率和功率 | 第25-28页 | | ·电流增益 | 第28-30页 | | ·热可靠性 | 第30页 | | ·开启电压和膝点电压 | 第30-33页 | | ·小结 | 第33-35页 | | 第三章 InGaP/GaAs HBT仿真与设计 | 第35-61页 | | ·MEDICI模拟外延结构设计 | 第35-47页 | | ·MEDICI仿真方法及注意事项 | 第35-37页 | | ·阻挡层厚度对β的影响 | 第37-38页 | | ·基区厚度对β的影响 | 第38-39页 | | ·不同结构参数HBT的β和f_T模拟结果 | 第39-41页 | | ·不同结构参数的大尺寸HBT特性 | 第41-45页 | | ·HBT材料结构设计 | 第45-47页 | | ·HBT版图设计 | 第47-51页 | | ·无源器件设计 | 第51-58页 | | ·MIM电容 | 第51-53页 | | ·螺旋电感 | 第53-56页 | | ·NiCr电阻 | 第56-57页 | | ·变容二极管 | 第57-58页 | | ·总版图 | 第58-59页 | | ·小结 | 第59-61页 | | 第四章 InGaP/GaAs HBT工艺研究及测试 | 第61-85页 | | ·湿法腐蚀工艺研究 | 第61-66页 | | ·影响湿法腐蚀的因素 | 第61页 | | ·InGaP/GaAs界面腐蚀问题与分析 | 第61-62页 | | ·湿法腐蚀实验及结果讨论 | 第62-66页 | | ·器件隔离工艺研究 | 第66-69页 | | ·腐蚀和注入隔离实验 | 第67-68页 | | ·隔离结果与分析 | 第68-69页 | | ·欧姆接触工艺与分析 | 第69-72页 | | ·Ledge技术 | 第72-74页 | | ·空气桥工艺 | 第74-77页 | | ·InGaP/GaAs HBT工艺流程 | 第77-81页 | | ·HBT器件特性测试和分析 | 第81-83页 | | ·小结 | 第83-85页 | | 第五章 X波段HBT VCO设计 | 第85-97页 | | ·MMIC简介 | 第85页 | | ·HBT的等效电路模型 | 第85-88页 | | ·VCO简介 | 第88-90页 | | ·VCO设计方法 | 第90-91页 | | ·VCO电路的ADS仿真设计 | 第91-95页 | | ·小结 | 第95-97页 | | 第六章 总结与展望 | 第97-101页 | | ·总结 | 第97-98页 | | ·展望 | 第98-101页 | | 参考文献 | 第101-111页 | | 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第111-112页 | | 致谢 | 第112-113页 | | 作者简介 | 第113-114页 |
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论文编号BS1310460，这篇论文共114页
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