| 第一章 文献综述 | 第1-31页 |
| §1．1 GaAs材料的结构、特点 | 第7-8页 |
| 1．1．1 前言 | 第7页 |
| 1．1．2 GaAs材料的结构和性质 | 第7-8页 |
| §1．2 GaAs单晶生长 | 第8-10页 |
| 1．2．1 常用GaAs单晶的生长 | 第8-9页 |
| 1．2．2 SI-GaAs单晶生长 | 第9-10页 |
| §1．3 GaAs材料的应用领域和市场前景 | 第10-11页 |
| 1．3．1 GaAs材料的应用领域 | 第10-11页 |
| 1．3．2 GaAs材料的市场前景 | 第11页 |
| §1．4 非掺杂LEC法生长的SI-GaAs单晶中常见的缺陷 | 第11-13页 |
| 1．4．1 点缺陷 | 第11-12页 |
| 1．4．2 体缺陷 | 第12页 |
| 1．4．3 线缺陷 | 第12-13页 |
| §1．5 SI-GaAs单晶中位错的研究 | 第13-29页 |
| 1．5．1 SI-GaAs单晶中位错的类型、位错反应、滑移、攀移的研究 | 第13-15页 |
| 1．5．1．1 前言 | 第13页 |
| 1．5．1．2 SI-GaAs单晶中位错的增殖 | 第13-15页 |
| 1．5．2 SI—GaAs单晶锭中位错的引入机制、位错的类型及分布、交滑移、攀移机制的研究 | 第15-23页 |
| 1．5．2．1 前言 | 第15-16页 |
| 1．5．2．2 实验方法 | 第16页 |
| 1．5．2．3 结果与讨论 | 第16-23页 |
| 1．5．2．4 结论 | 第23页 |
| 1．5．3 LEC SI-GaAs单晶中位错的运动速度及其电活性的研究 | 第23-25页 |
| 1．5．4 SI-GaAs单晶中微缺陷与胞状结构之间的关系 | 第25-28页 |
| 1．5．4．1 引言 | 第25页 |
| 1．5．4．2 SI-GaAs晶体中的微缺陷 | 第25-28页 |
| 1．5．4．3 分析与讨论 | 第28页 |
| 1．5．5 LEC SI-GaAs单晶中位错的运动速度及其电活性的研究 | 第28-29页 |
| §1．6 研究非掺LEC法拉制的SI—GaAs晶体中缺陷的重要意义 | 第29-30页 |
| §1．7 本论文的研究重点和实验方法的确定 | 第30-31页 |
| 第二章 扫描电镜 | 第31-34页 |
| §2．1 实验（位错胞状结构对于材料电阻率的影响） | 第31-34页 |
| 2．1．1 前言 | 第31页 |
| 2．1．2 实验方法 | 第31-32页 |
| 2．1．3 结果 | 第32页 |
| 2．1．4 讨论 | 第32-34页 |
| 第三章 X射线透射形貌技术 | 第34-49页 |
| §3．1 X射线透射形貌技术的原理 | 第34-36页 |
| §3．2 LEC法拉制的SI-GaAs单晶中位错形成胞状结构和系属结构的研究 | 第36-49页 |
| 3．2．1 实验设备、实验样品参数及制备 | 第36-37页 |
| 3．2．2 实验步骤 | 第37页 |
| 3．2．3 实验结果 | 第37-38页 |
| 3．2．4 分析与讨论 | 第38-49页 |
| 3．2．4．1 塑性变形的原因 | 第38-39页 |
| 3．2．4．2 塑性变形第一阶段 | 第39-40页 |
| 3．2．4．3 塑性变形第二阶段 | 第40-45页 |
| 3．2．4．4 塑性变形第三阶段 | 第45-46页 |
| 3．2．4．5 回复过程 | 第46-47页 |
| 3．2．4．6 结论 | 第47-49页 |
| 第四章 透射电镜（TEM）和能谱仪研究GaAs晶体中的微缺陷和位错 | 第49-61页 |
| §4．1 透射电镜的构造及原理 | 第49-51页 |
| 4．1．1 工作原理 | 第49-50页 |
| 4．1．2 样品制备 | 第50页 |
| 4．1．3 典型应用 | 第50-51页 |
| §4．2 TEM（透射电镜）和EDX研究SI-GaAs单晶中的缺陷 | 第51-61页 |
| 4．2．1 引言 | 第51-52页 |
| 4．2．2 实验 | 第52页 |
| 4．2．3 实验结果 | 第52-59页 |
| 4．2．4 讨论 | 第59-60页 |
| 4．2．5 结论 | 第60-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学位论文 | 第65页 |
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