摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-13页 |
1 绪论 | 第13-27页 |
·纳米结构及其特性 | 第13-15页 |
·自旋电子学和自旋电子学器件 | 第15-16页 |
·自旋轨道耦合效应 | 第16-19页 |
·电导公式 | 第19-21页 |
·转移矩阵方法 | 第21-24页 |
·本文主要研究的内容 | 第24-27页 |
2 电子在偏压调制的磁纳米结构中自旋依赖的输运性质 | 第27-38页 |
·研究背景 | 第27页 |
·理论公式 | 第27-29页 |
·电子在具有两个磁垒的纳米结构中偏压调控的输运性质 | 第29-33页 |
·电子在具有四个磁垒的纳米结构中偏压和温度依赖的输运性质 | 第33-37页 |
·本章小节 | 第37-38页 |
3 电子在具有delta掺杂的磁纳米结构中自旋依赖的输运性质 | 第38-62页 |
·研究背景 | 第38-40页 |
·理论公式 | 第40-42页 |
·电子在具有一个掺杂和两个磁场的纳米结构中的输运性质 | 第42-49页 |
·电子在具有两个掺杂和四个磁场的纳米结构中的输运性质 | 第49-57页 |
·电子在具有周期性的掺杂和磁场的纳米结构中的输运性质 | 第57-61页 |
·本章小结 | 第61-62页 |
4 磁纳米结构中电子的输运性质和温度依赖的磁阻效应 | 第62-76页 |
·研究背景 | 第62-63页 |
·理论公式 | 第63-66页 |
·数值结果和讨论 | 第66-75页 |
·本章小结 | 第75-76页 |
5 非磁纳米结构中自旋轨道耦合效应对电子共振通路的影响 | 第76-94页 |
·研究背景 | 第76-77页 |
·理论公式 | 第77-79页 |
·数值结果和讨论 | 第79-93页 |
·本章小结 | 第93-94页 |
6 总结与展望 | 第94-97页 |
·全文总结 | 第94-95页 |
·未来展望 | 第95-97页 |
致谢 | 第97-98页 |
参考文献 | 第98-117页 |
附录1 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第117页 |