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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--半绝缘SiC单晶电学参数的测量技术研究
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半绝缘SiC单晶电学参数的测量技术研究
 
     论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-8页
第一章 绪论第8-12页
   ·背景第8-9页
   ·国内外研究现状第9-10页
   ·本课题的目的和意义第10-12页
第二章 碳化硅材料的概述第12-26页
   ·SiC 的多型结构第12-14页
   ·SiC 的性质及应用第14-16页
     ·SiC 的结晶学特性第14页
     ·SiC 的物理化学性质第14页
     ·SiC 的电学性质第14-15页
     ·SiC 材料的应用第15-16页
   ·SiC 材料的单晶生长第16-19页
     ·Acheson 法第16-17页
     ·LeIy 法第17页
     ·籽晶升华法(改良的LeIy 方法)第17-19页
     ·外延生长法第19页
   ·SiC 材料的相关工艺第19-24页
     ·氧化第19-21页
     ·掺杂第21-22页
     ·光刻第22-24页
   ·SiC 材料中的缺陷第24-26页
     ·SiC 单晶中主要的缺陷及形成原因第24页
     ·SiC 单晶的缺陷分析技术第24-26页
第三章 半绝缘SiC 的概述第26-30页
   ·半绝缘SiC 单晶体材料的制备方法第26-27页
   ·半绝缘SiC 中的补偿机理第27-28页
   ·半绝缘SiC 的性质及应用第28-30页
第四章 SiC 材料电学参数测量第30-36页
   ·霍尔测试法第30-33页
     ·霍尔(Hall)效应及霍尔测试原理第30-32页
     ·范德堡结构的基本原理第32-33页
   ·石墨点接触法测电阻率第33-36页
第五章 SiC 欧姆接触特性研究第36-42页
   ·金属与半导体接触理论第36-38页
     ·电子传输模型第36-37页
     ·欧姆接触形成机理第37-38页
   ·欧姆接触的制备工艺第38-39页
   ·欧姆接触性能的评价标准第39-42页
     ·I-V 特性第39-40页
     ·传输线模型第40-42页
第六章 测试及分析第42-54页
   ·霍尔测量法第42-50页
     ·实验材料及设备第42页
     ·样品表面预处理第42页
     ·欧姆接触制备工艺第42-44页
     ·测试分析第44-47页
       ·I-V 测试第44-46页
       ·表面形貌及成分分析第46-47页
     ·霍尔测试结果第47-50页
   ·石墨接触点法第50-51页
     ·测试结构第50页
     ·测试结果第50-51页
   ·结果分析第51-54页
     ·光照条件与电阻率的关系实验第51页
     ·电阻率与温度的关系第51-52页
     ·电阻率的不均匀性第52-54页
第七章 结论第54-56页
致谢第56-58页
参考文献第58-62页
研究成果第62页

 
 
论文编号BS1337611,这篇论文共62
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