| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 引言 | 第9-25页 |
| 1.1 界面处的奇异量子现象 | 第10-18页 |
| 1.1.1 异质界面新奇现象举例 | 第10-14页 |
| 1.1.2 界面超导 | 第14-18页 |
| 1.2 金属二硫族化合物 | 第18-21页 |
| 1.3 范德瓦尔斯异质结 | 第21-23页 |
| 1.4 论文结构安排 | 第23-25页 |
| 第2章 实验仪器及其工作原理 | 第25-50页 |
| 2.1 超高真空技术 | 第26-31页 |
| 2.2 低温技术 | 第31-34页 |
| 2.3 强磁场技术 | 第34-36页 |
| 2.4 分子束外延技术 | 第36-42页 |
| 2.4.1 外延生长设备 | 第36-39页 |
| 2.4.2 原子级洁净衬底表面的获得 | 第39-41页 |
| 2.4.3 外延生长动力学 | 第41-42页 |
| 2.5 扫描隧道显微镜技术 | 第42-50页 |
| 2.5.1 隧穿电流 | 第42-44页 |
| 2.5.2 扫描隧道谱 | 第44-46页 |
| 2.5.3 基本构造 | 第46-48页 |
| 2.5.4 数据采集模式 | 第48-50页 |
| 第3章 界面超导体FeSe/SrTiO_3的低温退火研究 | 第50-68页 |
| 3.1 研究背景 | 第50-57页 |
| 3.1.1 单层FeSe/SrTiO_3的界面超导电性 | 第50-53页 |
| 3.1.2 FeSe的化学计量比和表面重构相 | 第53-57页 |
| 3.2 单层FeSe/SrTiO_3薄膜的MBE生长与STM表征 | 第57-58页 |
| 3.3 单层FeSe/SrTiO_3样品上Se沉积后的低温退火研究 | 第58-64页 |
| 3.4 单层FeSe/SrTiO_3样品上无Se沉积的低温退火研究 | 第64-67页 |
| 3.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第4章 SnSe_2/石墨烯-范德瓦尔斯异质结的界面超导电性 | 第68-87页 |
| 4.1 研究背景 | 第68-74页 |
| 4.1.1 界面高温超导的调制掺杂模型 | 第68-70页 |
| 4.1.2 电荷转移与能带弯曲 | 第70-72页 |
| 4.1.3 对SnSe_2超导电性的探索 | 第72-74页 |
| 4.2 石墨烯衬底上SnSe_2薄膜的MBE生长 | 第74-75页 |
| 4.3 石墨烯衬底上单层SnSe_2的超导电性 | 第75-80页 |
| 4.4 超导电性的界面调控 | 第80-86页 |
| 4.5 本章小结 | 第86-87页 |
| 第5章 界面诱导SnSe_2电荷密度波 | 第87-102页 |
| 5.1 研究背景 | 第87-92页 |
| 5.1.1 体相金属二硫族化合物的电荷密度波 | 第87-88页 |
| 5.1.2 单层金属二硫族化合物的电荷密度波 | 第88-92页 |
| 5.2 Si(111)衬底的表面处理 | 第92-95页 |
| 5.3 Si(111)衬底上单层SnSe_2中的电荷密度波 | 第95-97页 |
| 5.4 SrTiO_3(001)衬底上单层SnSe_2的电荷密度波 | 第97页 |
| 5.5 界面诱导SnSe_2电荷密度波的形成机制 | 第97-100页 |
| 5.6 本章小结 | 第100-102页 |
| 第6章 结论 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-118页 |
| 致谢 | 第118-120页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第120页 |
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