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高功率THz光电导天线的设计 |
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| 论文目录 |
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| 1. 概述 | 第1-24页 | | ·THz电磁波的特性 | 第12-14页 | | ·THz发射源 | 第14-17页 | | ·THz探测器 | 第17页 | | ·THz技术的研究情况 | 第17-22页 | | ·THz辐射产生及探测机理研究 | 第18页 | | ·THz时域光谱探测 | 第18-20页 | | ·THz辐射成像研究 | 第20-21页 | | ·THz波在生物技术和信息技术领域的应用 | 第21-22页 | | ·研究的目的及意义 | 第22页 | | ·研究思路和主要内容 | 第22-23页 | | 本章小结 | 第23-24页 | | 2. 实验方法 | 第24-33页 | | ·THz波发射系统 | 第24-30页 | | ·光电导体 | 第24页 | | ·天线 | 第24-26页 | | ·光电导偶极天线的耐压设计 | 第26-29页 | | ·激光器 | 第29-30页 | | ·THz波探测系统 | 第30页 | | ·实验原理 | 第30-31页 | | ·实验内容 | 第31-32页 | | ·测试三种光电导偶极天线的最大偏置电压 | 第31-32页 | | ·三种光电导天线辐射THz强度的对比实验 | 第32页 | | 本章小结 | 第32-33页 | | 3. 实验结果与讨论 | 第33-52页 | | ·影响光电导天线偏置电场提高的原因 | 第33-35页 | | ·半导体表面闪络 | 第33-34页 | | ·光电导天线材料的击穿 | 第34-35页 | | ·光电导天线芯片材料击穿的物理解释 | 第35-38页 | | ·半绝缘GaAs光电导天线热击穿机理 | 第38-40页 | | ·击穿瞬间天线材料温度的计算 | 第40-44页 | | ·高功率光电导THz源的设计 | 第44-45页 | | ·天线电极制作及圆角处理 | 第45页 | | ·天线的绝缘保护 | 第45页 | | ·实验结果 | 第45-51页 | | ·三种光电导偶极天线(PDA)的最大偏置电压测试 | 第45-46页 | | ·Si_3N_4钝化PDA和PDA裸片辐射THz强度的对比 | 第46-49页 | | ·有机硅凝胶封装PDA和PDA裸片THz辐射强度的对比 | 第49-51页 | | 本章小结 | 第51-52页 | | 4. 影响THz电磁辐射强度的数值模拟 | 第52-68页 | | ·大孔径光电导偶极天线THz辐射场强度的近、远场表达式 | 第52-55页 | | ·大孔径天线近、远场THz辐射的模拟 | 第55-64页 | | ·THz辐射的时间特性和频率特性 | 第56-57页 | | ·载流子寿命对THz脉冲波形的影响 | 第57-60页 | | ·光脉冲宽度对THz脉冲波形的影响 | 第60-61页 | | ·迁移率对THz脉冲波形的影响 | 第61-63页 | | ·光通量对THz辐射强度的影响--饱和现象 | 第63-64页 | | ·提高THz辐射功率的实验 | 第64-66页 | | ·远场THz强度随距离的衰减关系 | 第66-67页 | | 本章小结 | 第67-68页 | | 5. 结论 | 第68-69页 | | ·结论 | 第68页 | | ·进一步工作的设想 | 第68-69页 | | 致谢 | 第69-70页 | | 参考文献 | 第70-75页 | | 附录 | 第75-76页 |
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论文编号BS1046662，这篇论文共76页
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