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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--光伏硅晶材料的热改性研究
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光伏硅晶材料的热改性研究
 
     论文目录
 
摘要第1-5页
ABSTRACT第5-12页
第1章 绪论第12-44页
   ·晶体硅太阳电池的发展与现状第12页
   ·光伏硅晶材料的性质及其光伏应用性能第12-36页
     ·晶体硅太阳电池原理及技术第12-17页
       ·半导体光伏效应第12-14页
       ·晶体硅的生长及加工第14-16页
       ·硅晶太阳电池制备工艺第16-17页
     ·硅晶材料的基本电学性能第17-20页
       ·带隙和本征载流子浓度第17-18页
       ·电阻率第18-19页
       ·非平衡载流子的寿命第19-20页
     ·晶体硅中的氧第20-26页
       ·晶体硅中的氧的引入及分布第20-21页
       ·晶体硅中的热施主第21-22页
       ·晶体硅中的氧沉淀第22-26页
     ·硅晶材料中的金属杂质第26-33页
       ·硅中金属杂质的引入途径第26页
       ·硅中金属杂质的存在形式和分布第26-29页
       ·金属杂质对硅晶材料电学性能及器件性能的影响第29页
       ·晶体硅中的铁杂质第29-33页
       ·硅中铁对少数载流子的复合行为第33页
     ·硅晶材料中的位错第33-35页
       ·硅晶材料中位错产生的原因第33-34页
       ·位错对太阳电池性能的影响第34-35页
     ·光伏硅晶材料的热影响及热改性意义第35-36页
   ·光伏硅晶材料热改性相关研究现状第36-42页
     ·热施主第36-37页
     ·氧与碳的形态与分布第37-39页
     ·金属杂质的形态与分布第39页
     ·位错密度第39-40页
     ·存在的问题第40-42页
   ·本文的研究目的和主要内容第42-44页
第2章 热过程对硅晶体中氧、碳状态的影响第44-55页
   ·引言第44-45页
   ·实验方法第45-49页
     ·实验材料第45页
     ·主要实验仪器和设备第45-46页
       ·热处理炉第45页
       ·电阻率测试仪第45页
       ·傅立叶变换红外光谱仪第45-46页
     ·实验过程第46-47页
       ·试样消除热历史处理第46-47页
       ·高温加热及冷却第47页
     ·分析测试第47-49页
   ·结果与讨论第49-53页
     ·连续冷却中氧的沉淀行为第49-51页
     ·连续冷却中碳析出行为第51-53页
   ·本章小结第53-55页
第3章 热过程对硅晶体中铁杂质状态的影响第55-67页
   ·引言第55页
   ·实验方法第55-58页
     ·实验材料第55-56页
     ·主要实验设备第56-57页
     ·试样的热处理第57页
     ·间隙铁含量的测试第57-58页
   ·结果与讨论第58-66页
     ·加热温度对杂质铁状态的影响第58-60页
     ·冷却速率对杂质铁状态的影响第60-62页
     ·加热温度对经淬冷处理多晶硅片铁杂质状态的影响第62-65页
     ·保温时间对经淬冷处理多晶硅片铁杂质状态的影响第65-66页
   ·本章小结第66-67页
第4章 热过程对硅晶体中位错密度的影响第67-80页
   ·引言第67-68页
   ·实验方法第68-71页
     ·实验材料第68页
     ·主要实验设备第68页
     ·试样的热处理第68-71页
       ·铸造多晶硅片的热处理第68-70页
       ·铸造多晶硅快的热处理第70-71页
   ·结果与讨论第71-79页
     ·退火温度对硅片中位错密度的影响第71-74页
     ·退火冷却速率对硅片中位错密度的影响第74-76页
     ·高温退火对铸造多晶硅块中位错密度的影响第76-79页
   ·本章结论第79-80页
第5章 硅晶材料少子寿命的热衰减与恢复研究第80-99页
   ·引言第80-81页
   ·实验方法第81-84页
     ·实验材料第81页
     ·主要实验仪器和设备第81-82页
     ·试样的热处理第82-83页
     ·分析测试方法第83-84页
       ·少子寿命的测试第83页
       ·位错密度的测量第83-84页
   ·结果与讨论第84-97页
     ·加热温度对少子寿命的影响第84-86页
     ·冷却速率对少子寿命的影响第86-89页
     ·位错密度对晶体硅少子寿命热衰减的影响分析第89-92页
     ·加热温度对热衰减硅片少子寿命恢复的影响第92-93页
     ·保温时间对热衰减硅片少子寿命恢复的影响第93-94页
     ·热过程对硅晶材料电阻率的影响第94-97页
   ·本章小结第97-99页
第6章 光伏硅晶材料中热施主在热过程中的消长研究第99-110页
   ·引言第99页
   ·实验方法第99-101页
     ·实验材料第99-100页
     ·主要实验仪器和设备第100页
     ·原始数据测试第100页
     ·消除热施主退火第100页
     ·硅片的后续热处理第100-101页
   ·结果与讨论第101-108页
     ·原始硅片的电学性能及氧浓度分布第101-103页
     ·经消除热施主退火后硅片的电学性能第103-104页
     ·后续热过程中热施主的再形成情况第104-106页
       ·连续冷却速率的影响第104-106页
       ·两步冷却方式的影响第106页
     ·后续热过程对电学性能的影响第106-108页
   ·本章小结第108-110页
第7章 总结第110-113页
   ·结论第110-112页
   ·展望第112-113页
致谢第113-114页
参考文献第114-127页
攻读学位期间的研究成果第127-128页

 
 
论文编号BS12,这篇论文共128
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