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中子单色器晶体的模型、性能和生产检测工艺的研究 |
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论文目录 |
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摘要 | 第1-4页 | ABSTRACT | 第4-8页 | 1 引言 | 第8-26页 | ·非完美晶体用作中子单色器 | 第8-14页 | ·非完美晶体的基本衍射理论 | 第14-15页 | ·晶体嵌镶延展技术 | 第15-18页 | ·蒙特卡罗方法在中子散射谱仪技术中的应用 | 第18-20页 | ·论文的选题依据和意义 | 第20-24页 | 参考文献 | 第24-26页 | 2 建立中子单色器晶体的中子衍射物理模型 | 第26-44页 | ·非完美晶体的理论分析模型 | 第26-33页 | ·非完美晶体中子衍射过程的物理模型 | 第33-40页 | ·非完美晶体衍射物理模型的特性 | 第40-41页 | ·结论 | 第41-43页 | 参考文献 | 第43-44页 | 3 常用单色器晶体性能的模拟计算和评估 | 第44-63页 | ·模拟计算的背景和目的 | 第44-45页 | ·常用中子单色器晶体的基本材料性能 | 第45-49页 | ·在MCSTAS中使用新的单色器组件分析中子单色器晶体的性能 | 第49-62页 | 参考文献 | 第62-63页 | 4 锗单晶热压形变设备和工艺 | 第63-77页 | ·锗垂直聚焦中子单色器 | 第63-66页 | ·锗单晶真空热压炉 | 第66-70页 | ·锗单晶薄片热压工艺 | 第70-74页 | ·结论 | 第74-77页 | 5 锗嵌镶晶体摇动曲线实验 | 第77-106页 | ·实验方法和测量设备 | 第77-84页 | ·摇动曲线测量和数据分析 | 第84-101页 | ·分析和总结 | 第101-105页 | 参考文献 | 第105-106页 | 6 结论 | 第106-108页 | 攻读博士学位期间文章和报告目录 | 第108-109页 | 致谢 | 第109页 |
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