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磁场诱导水浴法制备ZnO纳米线阵列 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第4-5页 | | Abstract | 第5页 | | 第一章 绪论 | 第8-18页 | | 1.1 引言 | 第8-9页 | | 1.2 ZnO材料研究概述 | 第9-13页 | | 1.2.1 ZnO的晶体结构及其性质 | 第9-11页 | | 1.2.2 ZnO纳米材料的性质 | 第11页 | | 1.2.3 ZnO材料的光学特性 | 第11-12页 | | 1.2.4 ZnO材料的磁学特性 | 第12页 | | 1.2.5 ZnO材料的电学性质 | 第12-13页 | | 1.3 国内外研究现状 | 第13-16页 | | 1.3.1 ZnO的研究进展 | 第13-14页 | | 1.3.2 ZnO纳米材料的制备方法 | 第14-16页 | | 1.4 本文的主要内容和结构 | 第16-18页 | | 第二章 实验方案及样品表征手段 | 第18-26页 | | 2.1 实验方案 | 第18-22页 | | 2.1.1 实验方案设计 | 第18页 | | 2.1.2 实验仪器和试剂 | 第18-19页 | | 2.1.3 实验的基本工艺流程 | 第19-22页 | | 2.2 样品的表征和测试方法 | 第22-24页 | | 2.2.1 样品的表征 | 第22-24页 | | 2.2.2 样品的发光性能测试 | 第24页 | | 2.3 本章小结 | 第24-26页 | | 第三章 磁场诱导对ZnO纳米线阵列的影响 | 第26-54页 | | 3.1 ZnO纳米线阵列的制备 | 第26-28页 | | 3.1.1 ZnO晶种层的制备 | 第26-27页 | | 3.1.2 ZnO纳米线阵列的生长 | 第27-28页 | | 3.2 晶种层的厚度对ZnO纳米线阵列生长的影响 | 第28-31页 | | 3.3 单因素实验设计与表征分析 | 第31-50页 | | 3.3.1 单因素实验设计 | 第31-34页 | | 3.3.2 单因素实验表征分析 | 第34-47页 | | 3.3.3 单因素实验样品的发光性能测试 | 第47-50页 | | 3.4 磁场对ZnO纳米线阵列的影响机理 | 第50-52页 | | 3.5 本章小结 | 第52-54页 | | 第四章 制备工艺的优化及掺杂 | 第54-76页 | | 4.1 正交实验设计以及结果分析 | 第54-67页 | | 4.1.1 正交实验设计 | 第54-55页 | | 4.1.2 正交实验结果分析 | 第55-62页 | | 4.1.3 优化工艺的确定 | 第62-67页 | | 4.2 ZnO纳米线阵列的生长机理 | 第67-70页 | | 4.3 ZnO纳米线阵列的发光性能 | 第70-72页 | | 4.4 Nd掺杂ZnO纳米线阵列 | 第72-75页 | | 4.4.1 Nd掺杂ZnO纳米线阵列的表征 | 第72-74页 | | 4.4.2 Nd掺杂ZnO纳米线阵列的发光性能 | 第74-75页 | | 4.5 本章小结 | 第75-76页 | | 第五章 总结与展望 | 第76-78页 | | 5.1 本文工作总结 | 第76-77页 | | 5.2 今后工作展望 | 第77-78页 | | 参考文献 | 第78-86页 | | 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第86-88页 | | 致谢 | 第88页 |
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论文编号BS2646362，这篇论文共88页
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