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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--二维薄膜六方氮化硼的生长与刻蚀研究
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二维薄膜六方氮化硼的生长与刻蚀研究
 
     论文目录
 
摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第11-30页
    1.1 引言第11页
    1.2 h-BN的结构与性能第11-13页
    1.3 h-BN的应用前景第13-14页
    1.4 h-BN的制备方法第14-21页
    1.5 论文构架第21-22页
    参考文献第22-30页
第二章 生长设备与表征系统第30-39页
    2.1 化学气相沉积生长系统第30-31页
    2.2 表征仪器第31-38页
        2.2.1 扫描电子显微镜第32-33页
        2.2.2 原子力显微镜第33-34页
        2.2.3 X射线光电子能谱第34-36页
        2.2.4 共聚焦拉曼光谱第36-38页
    参考文献第38-39页
第三章 常压化学气相沉积法制备六方氮化硼第39-53页
    3.1 APCVD制备h-BN第39-41页
    3.2 生长因子对h-BN制备的影响第41-46页
    3.3 高质量单层h-BN薄膜第46-49页
        3.3.1 h-BN的转移第46-48页
        3.3.2 单层h-BN的表征第48-49页
    3.4 小结第49-50页
    参考文献第50-53页
第四章 低压化学气相沉积生长与刻蚀六方氮化硼第53-72页
    4.1 LPCVD制备二维h-BN第53-58页
        4.1.1 LPCVD制备h-BN流程第53-54页
        4.1.2 生长因子对低压制备h-BN的影响第54-58页
    4.2 氢气对低压制备二维h-BN晶体的刻蚀作用第58-67页
        4.2.1 H_2低压刻蚀二维h-BN晶体第58-59页
        4.2.2 H_2偏压对h-BN刻蚀的作用机理第59-64页
        4.2.3 h-BN刻蚀的动力学过程第64-66页
        4.2.4 由刻蚀形貌推断复杂结构h-BN的合成过程第66-67页
    4.3 小结第67-68页
    参考文献第68-72页
第五章 总结与展望第72-74页
附录硕士期间发表的论文第74-75页
致谢第75-76页

 
 
论文编号BS3526162,这篇论文共76
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