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IGZO忆阻器件的溶液法制备与电性能研究 |
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| 摘要 | 第4-6页 | | Abstract | 第6-7页 | | 第一章 绪论 | 第14-29页 | | 1.1 论文研究背景及意义 | 第14-18页 | | 1.2 忆阻器件的阻变机理 | 第18-24页 | | 1.2.1 导电细丝机制 | 第18-20页 | | 1.2.2 介质导电机制 | 第20-24页 | | 1.3 忆阻器件的研究现状 | 第24-26页 | | 1.3.1 基于IGZO的忆阻器件 | 第24-26页 | | 1.3.2 国内外研究状况 | 第26页 | | 1.4 本论文的研究目标和主要工作 | 第26-29页 | | 第二章 材料制备方法及表征手段 | 第29-39页 | | 2.1 实验仪器和材料 | 第29-30页 | | 2.1.1 实验仪器 | 第29-30页 | | 2.1.2 实验材料 | 第30页 | | 2.2 制备流程和方法 | 第30-34页 | | 2.2.1 络合法制备墨水 | 第31页 | | 2.2.2 旋涂法制备薄膜 | 第31-33页 | | 2.2.3 喷印法制备点电极 | 第33页 | | 2.2.4 器件结构 | 第33-34页 | | 2.3 表征技术 | 第34-38页 | | 2.3.1 扫描电子显微镜 | 第34-35页 | | 2.3.2 X射线衍射 | 第35页 | | 2.3.3 同步热分析法 | 第35-36页 | | 2.3.4 紫外-可见光透射光谱 | 第36-37页 | | 2.3.5 四探针法 | 第37页 | | 2.3.6 半导体特性分析 | 第37-38页 | | 2.4 本章小结 | 第38-39页 | | 第三章 IGZO薄膜的制备及其性能研究 | 第39-51页 | | 3.1 IGZO墨水制备 | 第39-44页 | | 3.1.1 溶剂和稳定剂的选取 | 第40-42页 | | 3.1.2 前驱物的选取 | 第42-44页 | | 3.2 IGZO薄膜制备 | 第44-50页 | | 3.2.1 衬底对薄膜生长的影响 | 第44-46页 | | 3.2.2 退火温度对薄膜形貌的影响 | 第46-47页 | | 3.2.3 元素组分对薄膜形貌的影响 | 第47-48页 | | 3.2.4 旋涂层数对薄膜的影响 | 第48-50页 | | 3.3 本章小结 | 第50-51页 | | 第四章 银点电极的制备及其性能研究 | 第51-65页 | | 4.1 银墨水制备 | 第51-52页 | | 4.2 旋涂法制备银薄膜 | 第52-56页 | | 4.2.1 墨水浓度对薄膜形貌的影响 | 第52-53页 | | 4.2.2 退火温度对薄膜形貌的影响 | 第53-55页 | | 4.2.3 旋涂层数对薄膜形貌和性能的影响 | 第55-56页 | | 4.3 喷墨打印法制备银点电极 | 第56-64页 | | 4.3.1 驱动电压频率对墨滴飞行的影响 | 第58-61页 | | 4.3.2 驱动电压斜率对墨滴飞行的影响 | 第61-62页 | | 4.3.3 驱动电压幅度对墨滴飞行的影响 | 第62-64页 | | 4.4 本章小结 | 第64-65页 | | 第五章 器件测试及性能研究 | 第65-83页 | | 5.1 器件电性能测试 | 第65-75页 | | 5.1.1 电压幅度对器件电性能的影响 | 第66-70页 | | 5.1.2 电压频率对器件电性能的影响 | 第70-72页 | | 5.1.3 电极大小对阻值变化的影响 | 第72-74页 | | 5.1.4 负向激励幅度对阻值变化的影响 | 第74-75页 | | 5.2 器件导电特性研究 | 第75-80页 | | 5.2.1 拟合用户界面制作 | 第75-76页 | | 5.2.2 器件导电机制拟合分析 | 第76-80页 | | 5.3 器件光性能测试 | 第80-81页 | | 5.4 本章小结 | 第81-83页 | | 总结与展望 | 第83-86页 | | 全文总结 | 第83-85页 | | 展望 | 第85-86页 | | 特色与创新之处 | 第86-87页 | | 参考文献 | 第87-91页 | | 攻读硕士学位期间发表的论文与参与项目 | 第91-93页 | | 致谢 | 第93页 |
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论文编号BS3254664，这篇论文共93页
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