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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--ZnO薄膜p型掺杂的研究及ZnO纳米点的可控生长
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ZnO薄膜p型掺杂的研究及ZnO纳米点的可控生长
 
     论文目录
 
摘要第1-9页
Abstract第9-12页
第一章 前言第12-15页
第二章 文献综述第15-38页
   ·ZnO基本性质第15-17页
   ·ZnO能带结构与光电性能第17-24页
     ·ZnO能带结构第17-20页
     ·ZnO光学性能第20-23页
     ·ZnO电学性能第23-24页
   ·ZnO结构形态第24-28页
     ·ZnO体单晶第25页
     ·ZnO薄膜第25-26页
     ·ZnO纳米结构第26-28页
   ·ZnO缺陷与掺杂第28-35页
     ·ZnO本征缺陷第28-29页
     ·ZnO非故意掺杂及n型掺杂第29-30页
     ·ZnOp型掺杂第30-35页
   ·ZnO材料的应用第35-38页
第三章 实验原理、生长工艺及评价手段第38-51页
   ·反应磁控溅射第38-43页
     ·磁控溅射原理第38-41页
     ·实验原料及生长工艺第41-43页
   ·MOCVD第43-48页
     ·MOCVD原理第43-45页
     ·实验原料及生长工艺第45-48页
   ·衬底及清洗方法第48-49页
   ·测试方法第49-51页
第四章 Al-N共掺法制备p型ZnO的研究第51-60页
   ·衬底温度对Al-N共掺ZnO性能的影响第51-56页
   ·Al含量对Al-N共掺ZnO性能的影响第56-59页
   ·本章小结第59-60页
第五章 Li:ZnO中一种新的p型掺杂元素第60-73页
   ·Li掺杂制备p型ZnO薄膜第60-64页
   ·Li掺杂p型ZnO的生长温度窗口第64-65页
   ·Li掺杂p型ZnO的Li含量窗口第65-70页
   ·ZnO同质p-n结的制备第70-72页
   ·本章小结第72-73页
第六章 等离子体辅助MOCVD生长非故意掺杂p型ZnO第73-81页
   ·非故意掺杂p型ZnO的生长与表征第73-77页
   ·非故意掺杂p型ZnO中受主的研究第77-80页
   ·本章小结第80-81页
第七章 MOCVD生长ZnO:N薄膜及N掺杂机理的研究第81-104页
   ·等离子体辅助生长p型ZnO:N薄膜第81-90页
     ·ZnO:N薄膜电学与光学性能的研究第81-86页
     ·ZnO:N中双受主行为的研究第86-90页
   ·ZnO:N薄膜紫外光电导研究第90-95页
   ·非等离子体辅助N掺杂生长p型ZnO第95-101页
   ·ZnO同质结LEDs原型器件的制备第101-103页
   ·本章小结第103-104页
第八章 关于ZnOp型掺杂的若干思考第104-110页
   ·p型掺杂元素的选择第104-108页
     ·V族N元素掺杂第104-106页
     ·V族大尺寸元素掺杂第106-107页
     ·I族元素掺杂第107-108页
   ·p型ZnO生长方法的选择第108-109页
   ·本章小结第109-110页
第九章 MOCVD生长ZnO纳米线第110-117页
   ·ZnO纳米线阵列的生长与表征第110-114页
   ·ZnO纳米线的尺寸可控生长第114-116页
   ·本章小结第116-117页
第十章 MOCVD生长ZnO纳米点第117-138页
   ·ZnO纳米点的可控生长第117-122页
   ·ZnO纳米点光学性能的调控第122-125页
   ·ZnO纳米点电学性能的调控第125-131页
   ·ZnO/MgO准核壳结构纳米点的生长与表征第131-137页
   ·本章小结第137-138页
第十一章 结论第138-141页
参考文献第141-162页
致谢第162-163页
博士期间发表论文和申请专利一览表第163-165页

 
 
论文编号BS782314,这篇论文共165
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