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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性研究
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SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性研究
 
     论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-9页
1 绪论第9-15页
   ·课题研究的背景及意义第10-12页
   ·国内外发展状况第12-13页
   ·本文的主要工作第13-15页
2 SiO_2/SiC界面及其评价方法第15-25页
   ·MOS系统中的界面/近界面电荷第15-17页
     ·界面陷阱电荷第15-16页
     ·固定电荷第16页
     ·氧化层陷阱电荷第16-17页
   ·SiO_2/SiC界面态起源第17-18页
     ·衬底杂质第17页
     ·悬挂键第17页
     ·SiO_2/SiC界面处的C簇第17页
     ·边界陷阱第17-18页
     ·界面处的Si_XC过渡层第18页
   ·界面态评价第18-24页
     ·SiC禁带中界面态的响应时间第18-19页
     ·高频(Terman)方法第19-22页
     ·高频准静态C-V测试第22-24页
   ·本章小结第24-25页
3 SiC MOS电容工艺第25-36页
   ·衬底的前处理第25页
   ·氧化工艺设计第25-28页
     ·SiC热氧化机理第25-27页
     ·SiC热氧化速率第27页
     ·氧化工艺设计第27-28页
   ·氮等离子体处理工艺第28-31页
     ·处理装置第28-31页
     ·处理条件的讨论第31页
   ·金属电极制作工艺第31-35页
     ·金属掩膜板第31-34页
     ·金属电极制作工艺第34-35页
   ·本章小结第35-36页
4 氧化膜特性评价第36-44页
   ·Fowler-Nordheim隧道电流模型第36-39页
   ·Ⅰ-Ⅴ测试及数据解析第39-41页
   ·氧化膜特性评价第41-42页
   ·背电极的欧姆特性第42-43页
   ·本章小结第43-44页
5 MOS界面特性评价第44-59页
   ·SiC MOS电容特性分析第44-52页
     ·SiC中杂质的不完全离化第44-47页
     ·SiC MOS电容的C-V特性第47-51页
     ·SiC MOS的平带电容第51-52页
   ·C-V测试与分析第52-55页
   ·MOS界面特性评价第55-58页
   ·小结第58-59页
结论第59-60页
参考文献第60-65页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第65-66页
致谢第66-67页

 
 
论文编号BS1500465,这篇论文共67
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