0.18um CMOS工艺低噪声放大器的电路及版图设计--硕士论文下载

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0.18um CMOS工艺低噪声放大器的电路及版图设计

论文目录

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-6页
引言	第6-7页
第一章绪论	第7-12页
·射频集成电路在无线通信技术发展中的重要性	第7页
·无线接收机的结构	第7-8页
·工艺技术的选择	第8-9页
·蓝牙技术	第9页
·CMOS射频前端中的低噪声放大器	第9-11页
·论文的组织结构	第11-12页
第二章射频集成电路中的无源元件	第12-19页
·电阻	第12-13页
·电容	第13-14页
·电感	第14-19页
第三章有源器件MOSFET	第19-24页
·二阶效应	第19-20页
·短沟道效应	第20-22页
·高频小信号模型	第22-24页
第四章低噪声放大器的噪声	第24-33页
·器件噪声	第24-26页
·二端口网络噪声理论	第26-30页
·LNA噪声系数的计算	第30-32页
·本章小结	第32-33页
第五章 CMOS射频低噪声放大器的设计	第33-43页
·MOSFETLNA的拓扑结构	第33-37页
·功耗限制下的噪声优化	第37-39页
·低噪声放大器的设计与仿真	第39-41页
·本章小结	第41-43页
第六章低噪声放大器的版图设计	第43-60页
·射频集成电路版图的重要性	第43-44页
·模拟电路版图设计基础—基本元器件的版图	第44-47页
·寄生参数	第47-50页
·匹配	第50-52页
·噪声问题	第52-55页
·闩锁效应	第55-56页
·天线效应	第56-57页
·低噪声放大器的版图设计	第57-59页
·本章小结	第59-60页
第七章总结	第60-61页
参考文献	第61-63页
致谢	第63-64页

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