| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 引言 | 第8-17页 |
| 1.1 忆阻器及其研究进展 | 第9-11页 |
| 1.2 突触及突触可塑性 | 第11-14页 |
| 1.2.1 非线性传输特性 | 第11-12页 |
| 1.2.2 短时程可塑性(STP)与长时程可塑性(LTP) | 第12-13页 |
| 1.2.3 脉冲频率依赖可塑性(SRDP)和脉冲时间依赖可塑性(STDP) | 第13-14页 |
| 1.3 忆阻器模拟神经突触的研究进展 | 第14-16页 |
| 1.4 主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 实验器材及设备 | 第17-21页 |
| 2.1 Pd/Nb:AlNO/Pd忆阻器的制备 | 第17-19页 |
| 2.1.1 光刻 | 第17-18页 |
| 2.1.2 电子束蒸镀 | 第18页 |
| 2.1.3 磁控溅射 | 第18-19页 |
| 2.2 Pd/Nb:AlNO/Pd忆阻器的测试与表征 | 第19-21页 |
| 2.2.1 半导体分析仪 | 第19页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜 | 第19-20页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱 | 第20-21页 |
| 第3章 Pd/Nb:AlNO/Pd相变忆阻器突触行为的模拟 | 第21-40页 |
| 3.1 Pd/Nb:AlNO/Pd忆阻器的设计与制备 | 第21-23页 |
| 3.2 Pd/Nb:AlNO/Pd忆阻器的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第23-27页 |
| 3.3 Pd/Nb:AlNO/Pd忆阻器的非线性传输特性 | 第27-30页 |
| 3.4 Pd/Nb:AlNO/Pd忆阻器的短程可塑性与长程可塑性 | 第30-32页 |
| 3.5 Pd/Nb:AlNO/Pd忆阻器的脉冲频率依赖可塑性 | 第32-37页 |
| 3.6 Pd/Nb:AlNO/Pd忆阻器的脉冲时间依赖可塑性 | 第37-38页 |
| 3.7 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 Pd/Nb:AlNO/Pd忆阻器的阻变机制 | 第40-53页 |
| 4.1 Pd/Nb:AlNO/Pd忆阻器初始状态的结构分析 | 第40-41页 |
| 4.2 Pd/Nb:AlNO/Pd忆阻器电初始化后的结构分析 | 第41-45页 |
| 4.3 Pd/Nb:AlNO/Pd忆阻器低阻态(LRS)的结构分析 | 第45-47页 |
| 4.4 Pd/Nb:AlNO/Pd忆阻器高阻态(HRS)的结构分析 | 第47-48页 |
| 4.5 Pd/Nb:AlNO/Pd忆阻器的阻变机理分析 | 第48-51页 |
| 4.6 本章小结 | 第51-53页 |
| 第5章 Pd/Nb:AlNO/AlNO/Nb:AlNO/Pd忆阻器的脉冲响应 | 第53-59页 |
| 5.1 Pd/Nb:AlNO/AlNO/Nb:AlNO/Pd忆阻器的基本电学特性 | 第53-55页 |
| 5.2 Pd/Nb:AlNO/Al N/Nb:AlNO/Pd忆阻器在脉冲刺激下的“训练”行为 | 第55-56页 |
| 5.3 Pd/Nb:AlNO/Al N/Nb:AlNO/Pd忆阻器的阻变机理 | 第56-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第6章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第67-68页 |
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