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GaN HEMT小信号等效电路参数提取
 
     论文目录
 
摘要第1-4页
ABSTRACT第4-8页
第一章 绪论第8-13页
   ·半导体材料发展历程及研究意义第8-9页
   ·本课题科研状况第9-11页
   ·本课题研究意义及内容第11-13页
第二章 GaN HEMT 的物理机理及小信号模型第13-25页
   ·GaN 材料特性第13-15页
     ·GaN 材料的特性第13页
     ·GaN 的化学特性第13页
     ·GaN 的电学特性第13-14页
     ·GaN 的光学特性第14页
     ·GaN 材料生长第14-15页
   ·GaN HEMT 器件的物理机理第15-18页
     ·GaN HEMT 器件结构第15-18页
     ·电容分布效应第18页
   ·信号参数矩阵第18-21页
     ·二端口网络的信号参数矩阵第18-20页
     ·微波网络S 参数第20-21页
   ·GaN HEMT 小信号参数模型第21-23页
     ·传统模型第21页
     ·新模型第21-23页
   ·小结第23-25页
第三章 GaN HEMT 小信号参数提取第25-40页
   ·S 参数的测量第25-26页
     ·二端口网络第25-26页
     ·测量HEMT 的S 参数第26页
   ·寄生参数提取第26-30页
     ·寄生电容提取第27-28页
     ·寄生电感提取第28-29页
     ·电阻提取第29-30页
   ·本征参数提取第30-35页
     ·参数变换第30-35页
   ·S 参数拟合第35-38页
     ·模型仿真第35页
     ·寄生参数拟合第35-37页
     ·本征参数拟合第37-38页
   ·14 元件模型与16 元件模型对比第38页
   ·GaN HEMT 大信号模型参数提取概述第38-39页
   ·小结第39-40页
第四章 GaN HEMT 功放概述及应用展望第40-47页
   ·功率放大器第40页
   ·功率放大器的原理第40-42页
   ·功放的主要分类第42-43页
   ·功率放大器的性能指标第43-45页
   ·GaN HEMT 功放应用前景第45-47页
结束语第47-48页
致谢第48-49页
参考文献第49-51页

 
 
论文编号BS597215,这篇论文共51
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