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当前位置：教育论文中心首页--硕士论文--A1GaInP大功率红光发光二极管的研发
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A1GaInP大功率红光发光二极管的研发
 
     论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-7页
1 绪论第7-17页
   ·课题研究的背景及意义第7-11页
   ·AlGaInP发光二极管的国内外发展现状与趋势第11-17页
2 红光高亮大功率发光二极管基本工艺技术的设计第17-30页
   ·红光高亮大功率发光二极管的基本结构设计第17-19页
   ·外延材料的生长第19-26页
     ·外延片制造技术基本原理第19-20页
     ·AlGaInP外延材料能带结构第20-21页
     ·关键技术及创新点第21-22页
     ·主要技术路线第22-26页
   ·红光高亮大功率发光二极管器件的制备工艺流程第26-28页
   ·本章小结第28-30页
3 红光高亮大功率发光二极管关键工艺技术的改进第30-50页
   ·ODR全方位反射镜的设计第30-33页
   ·欧姆接触层的研究第33-35页
     ·P型欧姆接触第33-35页
     ·N型欧姆接触第35页
   ·P/N面电极的设计第35-41页
     ·P面触点设计第36-40页
     ·N电极的设计第40-41页
     ·PAD结构优化第41页
   ·高透过率导电层ITO的研究第41-45页
   ·表面粗化技术第45-47页
   ·本章小结第47-50页
结论第50-51页
参考文献第51-53页
致谢第53-54页
 
 
论文编号BS2233166，这篇论文共54页
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