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280nm AlGaN基半导体激光器有源区结构的仿真研究
 
     论文目录
 
摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第10-17页
    1.1 研究背景概述第10-11页
    1.2 国内外研究现状第11-14页
        1.2.1 半导体激光器研究现状第11-13页
        1.2.2 紫外半导体激光器研究现状第13-14页
    1.3 深紫外半导体激光器面临的问题第14-15页
    1.4 论文结构与内容简介第15-17页
2 深紫外半导体激光器原理及器件性能第17-29页
    2.1 半导体激光器工作原理第17-19页
        2.1.1 粒子数反转分布第17-18页
        2.1.2 谐振腔第18页
        2.1.3 增益与阈值条件第18-19页
    2.2 材料性质第19-24页
        2.2.1 Ⅲ族氮化物半导体材料的基本性质第19-21页
        2.2.2 极化效应第21-23页
        2.2.3 AlGaN材料特性第23-24页
    2.3 激光器主要特性第24-27页
        2.3.1 阈值特性第24-25页
        2.3.2 P-I特性第25-26页
        2.3.3 发射波长第26-27页
        2.3.4 激光束的空间分布第27页
    2.4 本章小结第27-29页
3 模拟理论及参数设定第29-41页
    3.1 仿真环境介绍第29-32页
    3.2 器件模拟理论基础第32-33页
    3.3 能带结构模型第33-36页
    3.4 极化模型第36-37页
    3.5 载流子的迁移率模型第37页
    3.6 折射率计算模型第37-38页
    3.7 载流子复合模型第38-39页
    3.8 本章小结第39-41页
4 280nm深紫外半导体激光器结构设计第41-59页
    4.1 有源区结构设计第41-52页
        4.1.1 组分选取第41-43页
        4.1.2 量子阱个数优化第43-47页
        4.1.3 阱宽和垒厚度设计优化第47-52页
    4.2 腔长的设计第52页
    4.3 器件整体结构设计与输出特性第52-57页
        4.3.1 器件整体结构设计第52-54页
        4.3.2 器件输出特性第54-57页
    4.4 本章小结第57-59页
5 一种改进型的 280nm AlGaN基深紫外半导体激光器第59-67页
    5.1 问题分析第59-61页
    5.2 结构设计第61-62页
    5.3 输出特性分析第62-65页
    5.4 本章小结第65-67页
6 总结与展望第67-69页
    6.1 本文总结第67-68页
    6.2 展望第68-69页
参考文献第69-72页
个人简历、在校期间发表的学术论文与研究成果第72-73页
致谢第73页

 
 
论文编号BS3632866,这篇论文共73
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