| 摘要 | 第2-3页 |
| ABSTRACT | 第3页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 集成电路工艺技术概述 | 第10-11页 |
| 1.2 化学机械平坦化（CMP）概述 | 第11-21页 |
| 1.2.1 CMP 的历史 | 第11页 |
| 1.2.2 CMP 的基本原理 | 第11-13页 |
| 1.2.3 CMP 平坦化的必要性及优点 | 第13-15页 |
| 1.2.4 CMP 研磨料种类 | 第15-17页 |
| 1.2.5 CMP 的研磨机理 | 第17-18页 |
| 1.2.6 CMP 的应用 | 第18-21页 |
| 1.3 本文的研究目的与内容 | 第21-23页 |
| 2 传统STI CMP 与DSTI CMP 的工艺技术对比分析 | 第23-35页 |
| 2.1 STI CMP 工艺技术简介 | 第23-25页 |
| 2.1.1 浅沟道隔离（STI）的工艺流程 | 第23-25页 |
| 2.2 传统STI CMP 工艺 | 第25-30页 |
| 2.2.1 传统STI CMP 工艺流程 | 第25-28页 |
| 2.2.2 传统STI CMP 工艺的优缺点分析 | 第28-30页 |
| 2.3 直接浅沟道隔离平坦化（DSTI CMP）工艺 | 第30-33页 |
| 2.3.1 DSTI CMP 工艺流程 | 第30-31页 |
| 2.3.2 DSTI CMP 工艺的优缺点分析 | 第31-33页 |
| 2.4 传统STI CMP 工艺与DSTI CMP 工艺的对比分析 | 第33-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 3 不同二氧化铈研磨液研磨效果的对比分析 | 第35-45页 |
| 3.1 CeO_2研磨液的选择 | 第35-36页 |
| 3.2 实验条件的设计 | 第36-41页 |
| 3.2.1 实验设备 | 第36-37页 |
| 3.2.2 实验材料 | 第37-38页 |
| 3.2.3 实验方法 | 第38-41页 |
| 3.3 实验结果及讨论 | 第41-44页 |
| 3.3.1 晶片表面薄膜厚度的对比分析 | 第41页 |
| 3.3.2 晶片表面薄膜不平整度（Non Uniformity）的对比分析 | 第41-42页 |
| 3.3.3 晶片表面缺陷（Defect）的对比分析 | 第42页 |
| 3.3.4 碟形化程度（Dishing）的对比分析 | 第42-43页 |
| 3.3.5 最终台阶高度（Final Step Height）的对比分析 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 双步DSTI CMP 工艺的工程应用 | 第45-53页 |
| 4.1 双步DSTI CMP 工艺的流程及原理 | 第45-47页 |
| 4.2 双步DSTI CMP 工艺在0.13μm 逻辑产品中的应用研究 | 第47-51页 |
| 4.2.1 研磨液供应系统的设计 | 第47-49页 |
| 4.2.2 双步工艺时间的确定 | 第49-51页 |
| 4.3 双步DSTI CMP 工艺的工程应用效果验证 | 第51-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 5 双步DSTI CMP 工艺的优化研究 | 第53-69页 |
| 5.1 双步DSTI CMP 工艺研磨终点的优化设计 | 第53-58页 |
| 5.1.1 背景分析 | 第53-54页 |
| 5.1.2 实验方案设计 | 第54-56页 |
| 5.1.3 实验结果与讨论 | 第56-58页 |
| 5.2 双步DSTI CMP 工艺产能的优化设计 | 第58-67页 |
| 5.2.1 背景分析 | 第58-61页 |
| 5.2.2 实验方案设计 | 第61-63页 |
| 5.2.3 实验结果与讨论 | 第63-67页 |
| 5.3 本章小结 | 第67-69页 |
| 6 总结与未来展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第74-76页 |
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