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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--功率沟槽MOSFET的开关速度和栅漏电容Cgd的优化设计和研究
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功率沟槽MOSFET的开关速度和栅漏电容Cgd的优化设计和研究
 
     论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第6-18页
     ·概述第6-13页
     ·POWER MOSFET的发展第6-7页
     ·POWER MOSFET分类第7-8页
     ·POWER MOSFET结构第8-11页
     ·POWER MOSFET的具体应用第11-13页
     ·优化MOSFET体二极管的意义第13页
     ·功率MOSFET体二极管的研究第13-15页
     ·功率MOSFET栅漏电荷的研究第15页
     ·本文的主要工作第15-18页
第二章 功率沟槽MOSFET的重要参数第18-31页
     ·漏极电流第18页
     ·阈值电压第18-19页
     ·导通电阻第19-22页
     ·漏源击穿电压第22页
     ·栅电荷第22-26页
     ·栅电荷第22-24页
     ·栅电荷曲线的分析第24-26页
     ·反向恢复电荷第26-30页
     ·本章小结第30-31页
第三章 功率沟槽MOSFET开关速度的优化第31-56页
     ·引言第32页
     ·工艺流程简介第32-38页
     ·沟槽形成第33-35页
     ·栅氧化和多晶硅栅填充第35-36页
     ·体区的注入和推进第36-37页
     ·源区的注入和推进第37页
     ·接触孔形成第37页
     ·金属和钝化的淀积和刻蚀第37-38页
     ·平面接触和沟槽接触沟槽MOSFET第38-40页
     ·整合Schottky整流器第40-45页
     ·版图的改动第42-43页
     ·制程的改动第43-45页
     ·器件特性仿真和分析第45-49页
     ·工艺仿真第45-46页
     ·器件仿真第46-49页
     ·确定器件结构参数可调整的范围第49-55页
     ·调节体区阻挡的宽度第50-52页
     ·调节两次刻蚀沟槽接触孔的深度CT_1和CT_2第52-55页
     ·本章小结第55-56页
第四章 优化设计功率沟槽MOSFET栅漏电容C_(gd)第56-70页
     ·分离栅沟槽MOSFET第56-69页
     ·器件结构第56-57页
     ·制程第57-61页
     ·器件特性仿真和分析第61-69页
     ·本章小结第69-70页
第五章 总结第70-71页
参考文献第71-73页
致谢第73-74页

 
 
论文编号BS558917,这篇论文共74
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