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雪崩型光电二极管阵列器件的设计与分析 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第1-4页 | | ABSTRACT | 第4-5页 | | 目录 | 第5-7页 | | 1 绪论 | 第7-12页 | | ·研究背景 | 第7页 | | ·CCD与 CMOS固体图像传感器的研究现状和发展趋势 | 第7-10页 | | ·固体图像传感器的研究现状与发展趋势 | 第8页 | | ·CCD与 CMOS图像传感器的特性比较 | 第8-10页 | | ·基于标准 BiCMOS技术的APD图像传感器 | 第10-11页 | | ·本文的主要工作与内容 | 第11-12页 | | 2 APD探测器特性研究 | 第12-32页 | | ·描述 APD的几个特性参数 | 第12-15页 | | ·量子效率和响应度 | 第12页 | | ·暗电流 | 第12-13页 | | ·雪崩倍增因子 | 第13-14页 | | ·噪声特性 | 第14页 | | ·温度特性 | 第14-15页 | | ·GM-APD的特性参数 | 第15-18页 | | ·PN结的击穿 | 第18-29页 | | ·热击穿 | 第19页 | | ·隧道击穿 | 第19-20页 | | ·雪崩击穿 | 第20-29页 | | ·雪崩击穿机理 | 第20-21页 | | ·雪崩击穿的条件 | 第21-24页 | | ·影响雪崩击穿电压的因素 | 第24-29页 | | ·APD的工作模式 | 第29-31页 | | ·无源模式 | 第29-30页 | | ·有源模式 | 第30页 | | ·门控模式 | 第30-31页 | | ·本章小结 | 第31-32页 | | 3 雪崩光电二极管噪声特性研究 | 第32-46页 | | ·光电器件的噪声特性 | 第32-38页 | | ·热噪声 | 第32-34页 | | ·散粒噪声 | 第34-38页 | | ·PIN光电二极管的噪声模型 | 第38-41页 | | ·PIN雪崩光电二极管的噪声模型 | 第41-44页 | | ·PIN-APD低噪声前端电子学研究 | 第44-45页 | | ·本章小结 | 第45-46页 | | 4 APD探测器 PN结数值分析与模拟 | 第46-68页 | | ·数学理论 | 第46-49页 | | ·有限差分法离散化微分方程 | 第46-48页 | | ·非线性方程的线性化 | 第48-49页 | | ·一维器件模拟 | 第49-62页 | | ·半导体器件的基本方程 | 第49-50页 | | ·基本方程的离散化 | 第50-52页 | | ·边界条件 | 第52-53页 | | ·基本变量的选择 | 第53页 | | ·典型算法 | 第53-55页 | | ·模拟结果与分析 | 第55-62页 | | ·二维器件模拟 | 第62-67页 | | ·二维器件模拟算法 | 第62-64页 | | ·模拟结果与分析 | 第64-67页 | | ·本章小结 | 第67-68页 | | 5 结束语 | 第68-69页 | | 致谢 | 第69-70页 | | 参考文献 | 第70-72页 |
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论文编号BS1373518，这篇论文共72页
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