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基于极化电场调控AlGaN基紫外探测器的研究 |
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| 摘要 | 第5-7页 | | Abstract | 第7-8页 | | 第1章 绪论 | 第12-26页 | | 1.1 紫外探测技术的应用 | 第12-13页 | | 1.2 紫外探测技术的发展 | 第13-14页 | | 1.3 Ⅲ族氮化物材料的基本特性 | 第14-19页 | | 1.4 Ⅲ族氮化物材料的制备方法 | 第19-20页 | | 1.5 AlGaN基紫外探测的发展 | 第20-22页 | | 1.6 半导体紫外探测器的主要参数 | 第22-23页 | | 1.7 本论文的主要研究内容 | 第23-26页 | | 第2章 MOCVD设备、材料表征和器件测试简介 | 第26-42页 | | 2.1 MOCVD外延生长设备系统介绍 | 第26-29页 | | 2.2 AlGaN基外延材料表征 | 第29-38页 | | 2.2.1 金相显微镜 | 第29-30页 | | 2.2.2 高分辨X射线衍射 | 第30-32页 | | 2.2.3 原子力显微镜 | 第32-33页 | | 2.2.4 扫描电子显微镜 | 第33-35页 | | 2.2.5 光致发光 | 第35-36页 | | 2.2.6 霍尔测试 | 第36-38页 | | 2.3 AlGaN基紫外探测器测试 | 第38-40页 | | 2.3.1 紫外光谱响应测试 | 第38-39页 | | 2.3.2 电流-电压（I-V）测试 | 第39-40页 | | 2.4 本章小结 | 第40-42页 | | 第3章 AlGaN材料的生长和掺杂 | 第42-62页 | | 3.1 AlGaN材料MOCVD方法的生长机理 | 第42-43页 | | 3.2 外延衬底的选择 | 第43-44页 | | 3.3 缓冲层的生长 | 第44-49页 | | 3.4 AlGaN基材料的n型掺杂 | 第49-51页 | | 3.5 AlGaN基材料的p型掺杂 | 第51-60页 | | 3.5.1 Mg-δ 掺杂p-AlGaN材料的生长 | 第52-53页 | | 3.5.2 薄膜结晶质量表征 | 第53-55页 | | 3.5.3 薄膜表面形貌分析 | 第55-57页 | | 3.5.4 透射光谱分析 | 第57-59页 | | 3.5.5 电学特性分析 | 第59-60页 | | 3.6 本章小结 | 第60-62页 | | 第4章 极化电场对pin AlGaN基紫外探测器性能影响的研究 | 第62-82页 | | 4.1 研究背景与意义 | 第62-64页 | | 4.2 器件结构外延生长 | 第64-66页 | | 4.3 器件制备工艺 | 第66-68页 | | 4.4 器件性能表征 | 第68-77页 | | 4.4.1 电流-电压(I-V)特性 | 第68-75页 | | 4.4.2 光谱响应特性 | 第75-77页 | | 4.5 插入层对pin AlGaN紫外探测器的影响 | 第77-79页 | | 4.5.1 器件结构设计 | 第77-78页 | | 4.5.2 器件结构外延生长和制备 | 第78页 | | 4.5.3 器件性能测试 | 第78-79页 | | 4.6 本章小结 | 第79-82页 | | 第5章 极化电场对肖特基AlGaN紫外探测器性能的影响 | 第82-94页 | | 5.1 研究背景和意义 | 第82-86页 | | 5.1.1 肖特基二极管工作原理 | 第82-85页 | | 5.1.2 肖特基AlGaN紫外探测器的发展 | 第85-86页 | | 5.2 极化电场对肖特基AlGaN紫外探测器的影响 | 第86-91页 | | 5.2.1 器件结构外延生长 | 第87-88页 | | 5.2.2 器件制备工艺 | 第88页 | | 5.2.3 器件光谱响应特性测试 | 第88-90页 | | 5.2.4 器件电压-电流（I-V）特性测试 | 第90-91页 | | 5.3 本章小结 | 第91-94页 | | 第6章 实验估算AlGaN材料中空穴碰撞阈值能量 | 第94-106页 | | 6.1 研究背景和意义 | 第94-95页 | | 6.2 AlGa N基雪崩紫外探测器的发展 | 第95-96页 | | 6.3 碰撞离化理论模型发展 | 第96-98页 | | 6.4 实验设计 | 第98-100页 | | 6.4.1 器件结构设计原理 | 第98-100页 | | 6.4.2 器件结构外延生长 | 第100页 | | 6.4.3 器件制备工艺 | 第100页 | | 6.5 器件测试结果与分析 | 第100-105页 | | 6.6 本章小结 | 第105-106页 | | 第7章 结论与展望 | 第106-110页 | | 7.1 结论 | 第106-108页 | | 7.2 研究展望 | 第108-110页 | | 参考文献 | 第110-132页 | | 在学期间学术成果情况 | 第132-134页 | | 指导教师及作者简介 | 第134-136页 | | 致谢 | 第136-137页 |
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论文编号BS2494068，这篇论文共137页
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