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纳米CMOS器件多阱工艺单粒子效应机理研究
 
     论文目录
 
摘要第3-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第9-19页
    1.1 空间辐射环境第10-11页
    1.2 单粒子效应研究与进展第11-15页
    1.3 单粒子效应研究面临的挑战第15-16页
    1.4 论文的主要工作与结构安排第16-19页
        1.4.1 本文的主要内容第16-17页
        1.4.2 本文的组织结构第17-19页
第二章 单粒子效应分析和预测方法第19-31页
    2.1 单粒子的能量沉积方式第19-21页
    2.2 单粒子的电荷收集模型第21-24页
    2.3 临界电荷与饱和截面第24-26页
    2.4 单粒子效应的预测方法第26-30页
        2.4.1 单粒子效应物理级仿真第26-28页
        2.4.2 脉冲激光SEU敏感区测试方法第28-29页
        2.4.3 半导体器件的数值模拟计算方法第29-30页
    2.5 小结第30-31页
第三章 双阱工艺器件单粒子数值模拟仿真第31-46页
    3.1 构建NMOS和PMOS管模型并校准第31-34页
    3.2 双阱与非门逻辑器件SEE混合模拟第34-36页
    3.3 与非门器件瞬态脉冲诱发单粒子翻转第36-37页
    3.4 全三维双阱工艺SRAM单元器件模拟第37-45页
        3.4.1 双阱SRAM单元的选取第37-39页
        3.4.2 全三维双阱SRAM单元模型的构建第39-40页
        3.4.3 单粒子瞬态电流的评估方法第40-42页
        3.4.4 双阱电荷共享对PMOS器件的影响第42-44页
        3.4.5 双阱SRAM器件单粒子翻转敏感性评估第44-45页
    3.5 小结第45-46页
第四章 三阱工艺器件单粒子效应数值模拟仿真第46-60页
    4.1 三阱反相器SEE混合模拟仿真第46-48页
    4.2 深N+阱反相器电荷收集对瞬态电流的影响第48-50页
    4.3 三阱保护环工艺SRAM单元器件模拟第50-59页
        4.3.1 三阱保护环SRAM单元器件设计第50-51页
        4.3.2 三阱SRAM单元单粒子瞬态效应分析第51-53页
        4.3.3 深N+阱电极对TN2管电荷收集机理分析第53-55页
        4.3.4 深N+阱电荷共享引起双极放大效应第55-57页
        4.3.5 三阱SRAM单元单粒子翻转敏感性评估第57-59页
    4.4 小结第59-60页
第五章 改进型逻辑电路单粒子瞬态仿真第60-65页
    5.1 逻辑电路瞬态脉冲注入设定第60-62页
    5.2 辐射加固型电路设计仿真第62-64页
    5.3 单元CMOS电路SEU加固设计小结第64-65页
第六章 总结与展望第65-67页
    6.1 主要工作总结及创新第65-66页
    6.2 抗单粒子效应辐射研究的展望第66-67页
参考文献第67-71页
致谢第71-72页
攻读硕士学位期间的研究成果第72-74页
附录第74-77页

 
论文编号BS2642318,这篇论文共77
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