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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--集成电路新型ESD防护器件研究
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集成电路新型ESD防护器件研究
 
     论文目录
 
致谢第5-7页
摘要第7-9页
ABSTRACT第9-10页
缩略词表第11-17页
1 绪论第17-39页
    1.1 课题背景及意义第17-19页
    1.2 ESD模型及测试方法第19-31页
        1.2.1 组件级模型及测试第19-24页
        1.2.2 系统级模型及测试第24-28页
        1.2.3 传输线脉冲模型及测试第28-30页
        1.2.4 小结第30-31页
    1.3 ESD防护设计概述第31-34页
        1.3.1 防护窗口的概念第32-34页
        1.3.2 设计流程和工具第34页
    1.4 国内外研究现状第34-36页
    1.5 本文的主要内容和组织结构第36-39页
2 ESD防护器件及原理第39-64页
    2.1 ESD防护器件概述第39-40页
    2.2 ESD防护器件相关的典型物理机制第40-48页
        2.2.1 触发机制第40-45页
        2.2.2 热击穿失效机制第45-47页
        2.2.3 电导调制效应第47-48页
    2.3 基本的ESD防护器件研究第48-62页
        2.3.1 二极管第48-51页
        2.3.2 栅接地NMOS器件第51-53页
        2.3.3 可控硅器件第53-55页
        2.3.4 N阱(Nwell)电阻第55-62页
    2.4 本章小节第62-64页
3 组件级ESD防护器件设计第64-100页
    3.1 概述第64页
    3.2 基于CMOS工艺的GGISCR器件设计第64-78页
        3.2.1 现有技术概述第64-65页
        3.2.2 GGISCR器件的基本原理与特性第65-70页
        3.2.3 TCAD仿真与物理机理阐述第70-74页
        3.2.4 GGISCR器件特性的进一步研究与总结第74-78页
    3.3 基于BCD工艺的新型器件设计第78-98页
        3.3.1 新型堆叠高压电源钳位单元设计第79-85页
        3.3.2 新型FP-LDMOS-SCR器件设计第85-94页
        3.3.3 80V BCD工艺中的LDMOS-SCR器件设计第94-98页
    3.4 本章小节第98-100页
4 系统级ESD防护器件设计第100-120页
    4.1 概述第100-104页
        4.1.1 片外系统级ESD防护设计概述第100-102页
        4.1.2 片上系统级ESD防护设计概述第102-104页
    4.2 基于GGISCR结构的高鲁棒性器件设计第104-114页
        4.2.1 版图设计与器件特性第104-109页
        4.2.2 系统级ESD防护性能评估第109-114页
    4.3 高速穿通型瞬态电压抑制器设计第114-118页
    4.4 本章小节第118-120页
5 总结与展望第120-123页
    5.1 总结第120-121页
    5.2 展望第121-123页
参考文献第123-133页
作者简历及在学期间所取得的科研成果第133-135页
    作者简历第133页
    参加的科研项目第133页
    发表的文章第133-134页
    相关专利第134-135页

 
 
论文编号BS2589219,这篇论文共135
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