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基于六管存储单元的高可靠性SRAM设计 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第4-5页 | | Abstract | 第5-6页 | | 第1章 绪论 | 第9-13页 | | 1.1 课题来源及研究意义 | 第9页 | | 1.2 SRAM国内外研究现状 | 第9-12页 | | 1.3 课题的研究内容 | 第12页 | | 1.4 论文主要结构 | 第12-13页 | | 第2章 SRAM的基本结构和工作原理 | 第13-25页 | | 2.1 存储器分类 | 第13页 | | 2.2 SRAM的总体结构 | 第13-14页 | | 2.3 SRAM的工作原理 | 第14-17页 | | 2.4 SRAM典型存储单元结构 | 第17-24页 | | 2.4.1 四管单元电路 | 第18页 | | 2.4.2 五管单元电路 | 第18-19页 | | 2.4.3 七管单元电路 | 第19-20页 | | 2.4.4 八管单元电路 | 第20-21页 | | 2.4.5 九管单元电路 | 第21页 | | 2.4.6 十管单元电路 | 第21-22页 | | 2.4.7 十一管单元电路 | 第22-23页 | | 2.4.8 十二管单元电路 | 第23-24页 | | 2.5 本章小结 | 第24-25页 | | 第3章 SOI技术及其应用 | 第25-35页 | | 3.1 SOI技术背景 | 第25-26页 | | 3.2 SOI制备工艺 | 第26-29页 | | 3.2.1 注氧隔离的SIMOX技术 | 第26-27页 | | 3.2.2 键合再减薄的BESOI技术 | 第27页 | | 3.2.3 Smart Cut技术和ELTRAN技术 | 第27-29页 | | 3.3 SOI工艺技术研究和发展方向 | 第29-30页 | | 3.3.1 改变SOI材料的基底 | 第29页 | | 3.3.2 改变SOI结构的绝缘埋层材料 | 第29-30页 | | 3.3.3 改变SOI结构的半导体材料 | 第30页 | | 3.4 SOI器件类型及应用 | 第30-34页 | | 3.4.1 SOI技术器件类型 | 第31-32页 | | 3.4.2 SOI器件的应用 | 第32-34页 | | 3.5 本章小结 | 第34-35页 | | 第4章 SOI SRAM设计 | 第35-51页 | | 4.1 SOI SRAM的总体结构 | 第35-36页 | | 4.2 SOI SRAM单元设计 | 第36-37页 | | 4.3 译码电路 | 第37-41页 | | 4.3.1 地址分配 | 第38-39页 | | 4.3.2 行译码 | 第39-41页 | | 4.3.3 列译码 | 第41页 | | 4.4 灵敏放大电路 | 第41-42页 | | 4.5 预充电路 | 第42-43页 | | 4.6 ATD电路 | 第43-45页 | | 4.7 ESD保护电路 | 第45-46页 | | 4.8 版图设计 | 第46-49页 | | 4.8.1 版图的布局 | 第47页 | | 4.8.2 版图的设计 | 第47-49页 | | 4.8.3 版图的验证 | 第49页 | | 4.9 本章小结 | 第49-51页 | | 第5章 SOI SRAM的总体仿真及验证 | 第51-61页 | | 5.1 总体仿真 | 第51-58页 | | 5.1.1 关键路径的选取 | 第51-52页 | | 5.1.2 仿真激励 | 第52-54页 | | 5.1.3 仿真结果 | 第54-58页 | | 5.2 流片验证及测试结果 | 第58-60页 | | 5.3 ESD水平及抗辐照验证 | 第60页 | | 5.4 本章小结 | 第60-61页 | | 结论 | 第61-63页 | | 参考文献 | 第63-67页 | | 致谢 | 第67-69页 | | 个人简历、在学期间发表的论文与研究成果 | 第69页 |
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论文编号BS2672919，这篇论文共69页
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