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典型结构的深层充放电规律及放电干扰影响研究 |
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| 摘要 | 第5-7页 | | Abstract | 第7-8页 | | 第1章 绪论 | 第17-37页 | | 1.1 空间环境及其危害概述 | 第17-21页 | | 1.1.1 近地空间环境 | 第17-19页 | | 1.1.2 空间环境危害 | 第19-21页 | | 1.2 高能带电粒子和等离子体环境 | 第21-28页 | | 1.2.1 银河宇宙线和太阳宇宙线 | 第21-23页 | | 1.2.2 地球辐射带 | 第23-25页 | | 1.2.3 电离层和磁层等离子体 | 第25-26页 | | 1.2.4 极光沉降粒子和亚暴注入粒子 | 第26-27页 | | 1.2.5 空间辐射效应和充放电效应 | 第27-28页 | | 1.3 航天器充放电效应 | 第28-35页 | | 1.3.1 研究概况 | 第28-29页 | | 1.3.2 表面充放电 | 第29-32页 | | 1.3.3 深层充放电 | 第32-35页 | | 1.4 本文研究工作及组织结构 | 第35-37页 | | 第2章 深层充放电效应模拟试验装置及仿真工具 | 第37-57页 | | 2.1 航天器充放电效应模拟装置 | 第37-42页 | | 2.1.1 装置的组成 | 第37-39页 | | 2.1.2 电子辐照源 | 第39-41页 | | 2.1.3 参数测量系统 | 第41-42页 | | 2.2 表面电位转接测量技术 | 第42-47页 | | 2.2.1 转接测量的影响因素 | 第43-44页 | | 2.2.2 转接测量装置的改进 | 第44-47页 | | 2.2.3 电位转接测量的标定 | 第47页 | | 2.3 静电放电发生器 | 第47-50页 | | 2.4 深层充电一维仿真工具 | 第50-53页 | | 2.4.1 SEEAP | 第50-52页 | | 2.4.2 DICTAT | 第52-53页 | | 2.5 深层充电三维仿真软件SIC3D | 第53-57页 | | 第3章 典型结构的深层充放电特性研究 | 第57-80页 | | 3.1 平板型介质结构 | 第57-64页 | | 3.1.1 电导率的影响 | 第57-60页 | | 3.1.2 厚度的影响 | 第60-63页 | | 3.1.3 接地方式的影响 | 第63-64页 | | 3.2 介质-导体相邻结构 | 第64-77页 | | 3.2.1 试验及仿真方案 | 第64-67页 | | 3.2.2 试验和仿真结果 | 第67-70页 | | 3.2.3 介质宽度的影响 | 第70-72页 | | 3.2.4 介质-导体高度差的影响 | 第72-73页 | | 3.2.5 介质-导体间隙的影响 | 第73-74页 | | 3.2.6 复杂结构充放电分析实例 | 第74-77页 | | 3.3 介质-悬浮导体结构 | 第77-79页 | | 3.3.1 悬浮导体-介质-导体多层结构 | 第77-78页 | | 3.3.2 悬浮导体-介质间隙结构 | 第78-79页 | | 3.4 小结 | 第79-80页 | | 第4章 影响深层充放电的环境条件研究 | 第80-92页 | | 4.1 试验设计 | 第80-81页 | | 4.2 电子持续辐照的影响 | 第81-83页 | | 4.3 电子通量变化的影响 | 第83-85页 | | 4.4 温度变化的影响 | 第85-87页 | | 4.5 真空度变化的影响 | 第87-90页 | | 4.6 轨道条件变化的影响 | 第90-91页 | | 4.7 小结 | 第91-92页 | | 第5章 深层放电脉冲特征研究 | 第92-106页 | | 5.1 空间静电放电现象 | 第92-98页 | | 5.1.1 表面放电 | 第92-94页 | | 5.1.2 深层放电 | 第94-95页 | | 5.1.3 介质击穿模型 | 第95-96页 | | 5.1.4 锶源辐照下有机玻璃的"电树枝" | 第96-98页 | | 5.2 深层放电脉冲的时域特征 | 第98-103页 | | 5.2.1 脉冲幅度vs时间间隔 | 第98-99页 | | 5.2.2 脉冲幅度&间隔vs电子通量&温度 | 第99-103页 | | 5.3 深层放电脉冲的频谱特征 | 第103-105页 | | 5.4 小结 | 第105-106页 | | 第6章 深层放电脉冲对典型星用器件的影响研究 | 第106-120页 | | 6.1 研究背景 | 第106-107页 | | 6.2 试验方案 | 第107-111页 | | 6.2.1 试验原理 | 第107-108页 | | 6.2.2 被测器件 | 第108-110页 | | 6.2.3 试验过程 | 第110-111页 | | 6.3 试验结果 | 第111-116页 | | 6.3.1 集成运放的输出异常瞬态脉冲现象 | 第111-112页 | | 6.3.2 运放工作模式对输出端瞬态脉冲的影响 | 第112-113页 | | 6.3.3 运放偏置条件对输出端瞬态脉冲的影响 | 第113-114页 | | 6.3.4 ESD电压对输出端瞬态脉冲的影响 | 第114-116页 | | 6.3.5 ESD干扰耦合途径对输出端瞬态脉冲的影响 | 第116页 | | 6.4 分析与讨论 | 第116-119页 | | 6.4.1 ESD导致运放输出端异常瞬态脉冲的原因 | 第116-117页 | | 6.4.2 输出端瞬态脉冲特征与输入端干扰信号幅度和频率的关系 | 第117-119页 | | 6.5 小结 | 第119-120页 | | 第7章 总结与展望 | 第120-123页 | | 7.1 总结 | 第120-121页 | | 7.2 展望 | 第121-123页 | | 参考文献 | 第123-130页 | | 作者简介及发表论文 | 第130-132页 | | 致谢 | 第132页 |
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论文编号BS2809669，这篇论文共132页
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