中文摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第13-35页 |
1.1 引言 | 第13页 |
1.2 太阳能电池的研究 | 第13-15页 |
1.3 量子点敏化太阳能电池的研究 | 第15-30页 |
1.3.1 量子点敏化剂的特性 | 第16-17页 |
1.3.2 量子点敏化太阳能电池的结构和组成 | 第17-21页 |
1.3.3 量子点敏化太阳能电池的工作机理 | 第21-24页 |
1.3.4 提高量子点敏化太阳能电池效率的方法 | 第24-30页 |
1.4 氧化锌的性质及研究 | 第30-33页 |
1.4.1 氧化锌的基本性质 | 第30-31页 |
1.4.2 氧化锌在太阳能电池中的应用 | 第31-33页 |
1.5 本论文的选题依据和主要内容 | 第33-35页 |
第二章 CdSe 敏化 Al 掺杂 ZnO 纳米棒阵列复合薄膜的制备及其光电化学性能 | 第35-56页 |
2.1 引言 | 第35-36页 |
2.2 实验试剂和仪器设备 | 第36-37页 |
2.2.1 实验试剂 | 第36页 |
2.2.2 仪器设备 | 第36-37页 |
2.3 Al 掺杂 ZnO 纳米棒阵列薄膜的制备与表征 | 第37-43页 |
2.3.1 实验过程 | 第37-39页 |
2.3.2 Al 掺杂 ZnO 纳米棒阵列薄膜的表征 | 第39-43页 |
2.4 CdSe 敏化 Al 掺杂 ZnO 纳米棒阵列薄膜的制备及其光电化学性能研究 | 第43-54页 |
2.4.1 CdSe 敏化 Al 掺杂 ZnO 纳米棒阵列薄膜的制备 | 第43-44页 |
2.4.2 CdSe 敏化 Al 掺杂 ZnO 纳米棒阵列薄膜的表征 | 第44-46页 |
2.4.3 CdSe 敏化 Al 掺杂 ZnO 纳米棒阵列薄膜性质研究 | 第46-54页 |
2.5 本章小结 | 第54-56页 |
第三章 大面积高能面裸露的 ZnO 纳米片阵列薄膜的制备及其光电化学性能 | 第56-70页 |
3.1 引言 | 第56-57页 |
3.2 ZnO 纳米片阵列薄膜的制备 | 第57页 |
3.3 ZnO 纳米片阵列薄膜的表征 | 第57-59页 |
3.3.1 ZnO 纳米片阵列薄膜的结构分析 | 第57-58页 |
3.3.2 ZnO 纳米片阵列薄膜的形貌特征 | 第58-59页 |
3.4 反应条件对形貌演变的影响 | 第59-64页 |
3.4.1 柠檬酸钠浓度对 ZnO 纳米片阵列薄膜形貌的影响 | 第59-61页 |
3.4.2 反应时间对 ZnO 纳米片阵列薄膜厚度的影响 | 第61-62页 |
3.4.3 ZnO 纳米片阵列薄膜生长机理 | 第62-64页 |
3.5 ZnO 纳米片阵列薄膜的性质研究 | 第64-68页 |
3.5.1 UV-visible 光吸收特性分析 | 第64-65页 |
3.5.2 光电化学性能研究 | 第65-68页 |
3.6 本章小结 | 第68-70页 |
第四章 Ⅱ-Ⅵ族半导体/ZnO 纳米片阵列复合薄膜的制备及其光电化学性能研究 | 第70-92页 |
4.1 引言 | 第70页 |
4.2 CdS 敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的制备及其光电化学性能研究 | 第70-77页 |
4.2.1 CdS 敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的制备 | 第70-71页 |
4.2.2 CdS 敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的表征 | 第71-75页 |
4.2.3 CdS 敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的性质研究 | 第75-77页 |
4.3 CdSe 敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的制备及其光电化学性能研究 | 第77-79页 |
4.3.1 CdSe 敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的制备 | 第77-78页 |
4.3.2 CdSe 敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的性质研究 | 第78-79页 |
4.4 CdS/CdSe 共敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的制备及其光电化学性能研究 | 第79-89页 |
4.4.1 CdS/CdSe 共敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的制备 | 第79-80页 |
4.4.2 CdS/CdSe 共敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的表征 | 第80-84页 |
4.4.3 CdS/CdSe 共敏化 ZnO 纳米片阵列薄膜的性质研究 | 第84-89页 |
4.5 本章小结 | 第89-92页 |
第五章 结论与展望 | 第92-96页 |
5.1 本文结论 | 第92-94页 |
5.2 工作展望 | 第94-96页 |
参考文献 | 第96-109页 |
作者简历 | 第109-110页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第110-112页 |
致谢 | 第112页 |