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基于0.18μm CMOS工艺的超宽带低噪声放大器设计

论文目录

中文摘要	第1-5页
Abstract	第5-8页
第一章绪论	第8-15页
·引言	第8-9页
·研究现状及意义	第9-14页
·窄带低噪声放大器的研究现状	第10-12页
·超宽带低噪声放大器的研究现状	第12-14页
·研究意义	第14页
·本论文的组织结构	第14-15页
第二章 RF CMOS 工艺中的器件特性	第15-23页
·CMOS 工艺的背景	第15-16页
·CMOS 工艺中的电容	第16页
·CMOS 工艺中的电感	第16-17页
·MOSFET 高频小信号等效	第17-18页
·深亚微米MOSFET 射频特性	第18-23页
第三章低噪声放大器设计基础	第23-36页
·射频电路基础知识	第23-26页
·分布参数的概念	第23页
·阻抗的概念	第23-26页
·阻抗匹配的概念	第26页
·低噪声放大器的结构及性能	第26-36页
·低噪声放大器基本结构	第26-27页
·散射参数	第27-28页
·放大器的增益和稳定性	第28-29页
·噪声处理	第29-31页
·系统灵敏度	第31-32页
·大信号表现	第32-36页
第四章超宽带低噪声放大器设计与仿真	第36-59页
·超宽带技术	第36-37页
·技术标准	第36页
·超宽带收发器	第36-37页
·制造工艺选择及设计的基本要求	第37-39页
·工艺选择	第37-38页
·设计的基本要求	第38-39页
·共源共栅联源极负反馈结构为基础的超宽带低噪声放大器的设计	第39-51页
·电路分析	第39-42页
·仿真过程和结果	第42-51页
·两级级联的超宽带低噪声放大器的设计	第51-57页
·电路分析	第51-54页
·仿真结果	第54-57页
·设计结论	第57-59页
第五章总结和展望	第59-60页
参考文献	第60-63页
攻读学位期间公开发表论文	第63-64页
致谢	第64-65页

论文编号BS483869，这篇论文共65页会员购买按0.35元/页下载，共需支付22.75元。直接购买按0.5元/页下载，共需要支付32.5元。

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