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脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒的成核及带电性研究
 
     论文目录
 
摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-17页
   ·硅基纳米材料的研究意义第9-11页
   ·国内外研究现状第11-15页
     ·纳米晶粒的制备第12-13页
     ·激光烧蚀动力学过程第13-15页
   ·本文的主要研究内容及意义第15-17页
第二章 样品制备及测试方法第17-33页
   ·PLD 原理及样品制备第17-24页
     ·脉冲激光烧蚀方法及原理第17-19页
     ·PLD 实验装置第19-21页
     ·基片的清洗第21-23页
     ·样品的制备过程第23-24页
   ·纳米晶粒的表征手段第24-33页
     ·扫描电子显微镜第24-27页
     ·纳米粒子的 XRD 表征第27-28页
     ·Raman 衍射仪第28-30页
     ·数字荧光示波器第30-33页
第三章 Ar 环境气压下纳米 Si 晶粒成核区研究第33-53页
   ·实验方法第33-34页
   ·Ar 环境气压 1 Pa 下成核区第34-36页
   ·Ar 环境气压 5 Pa 下成核区第36-39页
   ·Ar 环境气压 10 Pa 下成核区第39-41页
   ·Ar 环境气压 50 Pa 下成核区第41-44页
   ·Ar 环境气压 100 Pa 下成核区第44-46页
   ·Ar 环境气压 200 Pa 下成核区第46-48页
   ·实验结果分析第48-51页
   ·本章小结第51-53页
第四章 挡板技术对纳米晶粒成核区位置的影响第53-75页
   ·挡板技术的基本原理第53-55页
     ·挡板技术原理第53-54页
     ·Si 粒子在成核区中的运动模型第54-55页
   ·实验方法第55-56页
   ·不加挡板时成核区第56-59页
   ·加 1 cm 挡板时成核区第59-63页
   ·加 2 cm 挡板时成核区第63-67页
   ·加 3 cm 挡板时成核区第67-70页
   ·实验结果比较第70-73页
   ·本章小结第73-75页
第五章 孔径尺寸对激光烧蚀纳米硅晶粒产量分布的影响第75-81页
   ·研究孔径尺寸影响的实验方法第75-76页
   ·实验结果第76-80页
   ·本章小结第80-81页
第六章 氩气环境下烧蚀粒子的电流响应研究第81-105页
   ·电流响应研究的实验原理及方法第81-85页
     ·实验装置第81-82页
     ·典型气压下的电流响应第82-84页
     ·烧蚀粒子的传输模型第84-85页
   ·电场下烧蚀粒子的电流响应研究第85-89页
     ·加正电压第85-87页
     ·加负电压第87-89页
   ·低气压下烧蚀粒子的速度劈裂实验研究第89-92页
   ·气压对烧蚀粒子电流响应的影响第92-96页
   ·不同气压下烧蚀粒子阻尼系数研究第96-104页
     ·烧蚀粒子阻尼系数研究的实验装置第96-97页
     ·烧蚀粒子阻尼系数研究的实验方法第97页
     ·计算的理论依据第97-98页
     ·实验结果与分析第98-104页
       ·烧蚀粒子速度计算第98-102页
       ·烧蚀粒子阻尼系数计算第102-104页
   ·本章小结第104-105页
第七章 结论第105-107页
参考文献第107-113页
攻读学位期间所取得的相关科研成果第113-115页
致谢第115页

 
 
论文编号BS2110252,这篇论文共115
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