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氧化铟锡粉体和靶材制备工艺的优化研究
 
     论文目录
 
学位论文数据集第3-4页
摘要第4-6页
abstract第6-8页
第一章 绪论第15-31页
    1.1 ITO透明导电薄膜的研究第15-17页
        1.1.1 ITO薄膜导电机理第15页
        1.1.2 ITO薄膜性能及应用第15-16页
        1.1.3 ITO薄膜的制备方法第16-17页
    1.2 ITO纳米粉体概述第17-22页
        1.2.1 ITO纳米粉体制备方法第17-18页
        1.2.2 ITO粉体制备中影响因素的研究第18-22页
    1.3 ITO靶材概述第22-28页
        1.3.1 ITO靶材研究现状第22-23页
        1.3.2 ITO粉体造粒工艺第23-24页
        1.3.3 ITO素坯成型工艺第24-25页
        1.3.4 ITO靶材制备方法第25-27页
        1.3.5 ITO靶材发展趋势第27-28页
    1.4 课题的研究目的、意义及主要内容第28-31页
        1.4.1 课题的研究目的及意义第28页
        1.4.2 课题研究的主要内容第28-31页
第二章 实验部分第31-39页
    2.1 实验所用试剂及设备第31-33页
    2.2 ITO靶材制备过程第33-36页
        2.2.1 ITO粉体的制备第33-34页
        2.2.2 ITO粉体的造粒第34-35页
        2.2.3 造粒粉的成型第35页
        2.2.4 ITO素坯低温脱脂第35页
        2.2.5 ITO素坯的常压烧结第35-36页
    2.3 性能测试第36-39页
        2.3.1 TEM分析第36-37页
        2.3.2 SEM分析第37页
        2.3.3 物相分析第37页
        2.3.4 密度测定第37页
        2.3.5 电阻率测定第37-39页
第三章 ITO粉体的制备及影响因素的研究第39-51页
    3.1 引言第39页
    3.2 结果与讨论第39-49页
        3.2.1 前驱体及粉体XRD分析第39-41页
        3.2.2 ITO粉体的分散性分析第41-42页
        3.2.3 团聚系数分析第42-43页
        3.2.4 不同缓冲溶液对ITO粉体形貌的影响第43-45页
        3.2.5 不同缓冲溶液对ITO粉体电阻率的影响第45-46页
        3.2.6 不同温度及pH值下粉体的形貌第46-47页
        3.2.7 ITO粉体的XPS分析第47-49页
    3.3 本章小结第49-51页
第四章 ITO靶材烧结工艺研究第51-75页
    4.1 ITO素坯成型及脱脂过程第51-53页
        4.1.1 ITO粉体造粒第51-52页
        4.1.2 素坯成型第52页
        4.1.3 素坯低温脱脂过程第52-53页
    4.2 ITO靶材烧结过程不同工艺参数的研究第53-72页
        4.2.1 不同温烧结温度下ITO靶材的物相结构第53-54页
        4.2.2 不同烧结温度下靶材的致密化行为第54-57页
        4.2.3 不同升温速率下靶材的致密化行为第57-60页
        4.2.4 不同保温时间下靶材的致密化行为第60-64页
        4.2.5 喷雾造粒工艺下靶材的致密化行为第64-67页
        4.2.6 不同脱脂工艺下靶材的致密化行为第67-68页
        4.2.7 掺杂不同烧结助剂条件下靶材的致密化行为第68-72页
    4.3 本章小结第72-75页
第五章 结论与展望第75-77页
    5.1 结论第75-76页
    5.2 展望第76-77页
参考文献第77-83页
致谢第83-85页
研究成果及发表的学术论文第85-87页
作者和导师简介第87-88页
附件第88-89页

 
论文编号BS2619852,这篇论文共89
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