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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--Si衬底上高质量AlN外延薄膜的MOCVD生长研究
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Si衬底上高质量AlN外延薄膜的MOCVD生长研究
 
     论文目录
 
摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第11-27页
    1.1 引言第11页
    1.2 AlN的基本特性与应用第11-14页
    1.3 AlN外延薄膜的研究进展第14-25页
        1.3.1 AlN薄膜外延生长衬底第14-15页
        1.3.2 Si衬底上外延生长AlN薄膜的意义与难题第15-17页
        1.3.3 AlN薄膜的研究现状第17-25页
    1.4 课题的研究意义和研究内容第25-27页
        1.4.1 课题的研究意义第25页
        1.4.2 课题的研究内容第25-27页
第二章 AlN薄膜的制备方法及材料表征第27-35页
    2.1 MOCVD外延技术与薄膜生长第27-33页
        2.1.1 MOCVD系统简介第27-30页
        2.1.2 MOCVD的外延生长过程第30-31页
        2.1.3 MOCVD生长AlN的化学反应过程第31页
        2.1.4 MOCVD外延生长模式第31-33页
    2.2 测试表征手段第33-35页
        2.2.1 高分辨X射线衍射第33页
        2.2.2 扫描电子显微镜第33页
        2.2.3 透射电子显微镜第33-34页
        2.2.4 原子力显微镜第34页
        2.2.5 台阶仪第34-35页
第三章 AlN外延薄膜生长工艺条件的研究第35-50页
    3.1 预铺铝技术对AlN外延薄膜的影响第35-39页
    3.2 外延生长条件对Al N外延薄膜的影响第39-49页
        3.2.1 生长温度第39-43页
        3.2.2 生长V/Ⅲ比第43-46页
        3.2.3 生长气氛第46-49页
    3.3 本章小结第49-50页
第四章 AlN薄膜的两步法外延生长研究第50-60页
    4.1 两步法生长的AlN外延薄膜的特性第50-53页
    4.2 厚度对两步法AlN外延生长的影响第53-56页
    4.3 两步法生长AlN外延薄膜的优化研究第56-58页
    4.4 本章小结第58-60页
第五章 低温AlN插入层上外延生长AlN的研究第60-68页
    5.1 低温插入层上外延生长Al N薄膜第60-62页
    5.2 不同低温插入层温度外延生长AlN薄膜第62-64页
    5.3 不同低温插入层厚度外延生长AlN薄膜第64-66页
    5.4 本章小结第66-68页
结论第68-69页
参考文献第69-80页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第80-81页
致谢第81-82页
附件第82页

 
 
论文编号BS3214202,这篇论文共82
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