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Si衬底上高质量AlN外延薄膜的MOCVD生长研究 |
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论文目录 |
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摘要 | 第5-7页 | Abstract | 第7-8页 | 第一章 绪论 | 第11-27页 | 1.1 引言 | 第11页 | 1.2 AlN的基本特性与应用 | 第11-14页 | 1.3 AlN外延薄膜的研究进展 | 第14-25页 | 1.3.1 AlN薄膜外延生长衬底 | 第14-15页 | 1.3.2 Si衬底上外延生长AlN薄膜的意义与难题 | 第15-17页 | 1.3.3 AlN薄膜的研究现状 | 第17-25页 | 1.4 课题的研究意义和研究内容 | 第25-27页 | 1.4.1 课题的研究意义 | 第25页 | 1.4.2 课题的研究内容 | 第25-27页 | 第二章 AlN薄膜的制备方法及材料表征 | 第27-35页 | 2.1 MOCVD外延技术与薄膜生长 | 第27-33页 | 2.1.1 MOCVD系统简介 | 第27-30页 | 2.1.2 MOCVD的外延生长过程 | 第30-31页 | 2.1.3 MOCVD生长AlN的化学反应过程 | 第31页 | 2.1.4 MOCVD外延生长模式 | 第31-33页 | 2.2 测试表征手段 | 第33-35页 | 2.2.1 高分辨X射线衍射 | 第33页 | 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第33页 | 2.2.3 透射电子显微镜 | 第33-34页 | 2.2.4 原子力显微镜 | 第34页 | 2.2.5 台阶仪 | 第34-35页 | 第三章 AlN外延薄膜生长工艺条件的研究 | 第35-50页 | 3.1 预铺铝技术对AlN外延薄膜的影响 | 第35-39页 | 3.2 外延生长条件对Al N外延薄膜的影响 | 第39-49页 | 3.2.1 生长温度 | 第39-43页 | 3.2.2 生长V/Ⅲ比 | 第43-46页 | 3.2.3 生长气氛 | 第46-49页 | 3.3 本章小结 | 第49-50页 | 第四章 AlN薄膜的两步法外延生长研究 | 第50-60页 | 4.1 两步法生长的AlN外延薄膜的特性 | 第50-53页 | 4.2 厚度对两步法AlN外延生长的影响 | 第53-56页 | 4.3 两步法生长AlN外延薄膜的优化研究 | 第56-58页 | 4.4 本章小结 | 第58-60页 | 第五章 低温AlN插入层上外延生长AlN的研究 | 第60-68页 | 5.1 低温插入层上外延生长Al N薄膜 | 第60-62页 | 5.2 不同低温插入层温度外延生长AlN薄膜 | 第62-64页 | 5.3 不同低温插入层厚度外延生长AlN薄膜 | 第64-66页 | 5.4 本章小结 | 第66-68页 | 结论 | 第68-69页 | 参考文献 | 第69-80页 | 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第80-81页 | 致谢 | 第81-82页 | 附件 | 第82页 |
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