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现代晶圆加工过程控制关键技术研究 |
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论文目录 |
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摘要 | 第5-7页 | ABSTRACT | 第7-9页 | 符号对照表 | 第13-14页 | 缩略语对照表 | 第14-19页 | 第一章 绪论 | 第19-29页 | 1.1 引言 | 第19页 | 1.2 统计过程控制技术的发展和问题 | 第19-20页 | 1.3 研究背景与意义 | 第20-25页 | 1.3.1 片加工面临的问题-一阶嵌套位置效应 | 第21-22页 | 1.3.2 批加工面临的问题-二阶嵌套位置效应 | 第22-25页 | 1.3.3 片加工和批加工环境问题-颗粒数零过多的现象 | 第25页 | 1.4 国内外研究现状 | 第25-27页 | 1.4.1 片加工和批加工的嵌套位置效应研究现状 | 第25-26页 | 1.4.2 颗粒数零过多现象的研究现状 | 第26-27页 | 1.5 研究内容概述及主要创新点 | 第27-28页 | 1.6 论文各部分内容安排 | 第28-29页 | 第二章 SPC理论基础 | 第29-39页 | 2.1 引言 | 第29页 | 2.2 SPC基本概念 | 第29-32页 | 2.2.1 质量特征参数波动的原因 | 第29-30页 | 2.2.2 受控状态与规范要求 | 第30-31页 | 2.2.3 “好的失控”与“坏的失控” | 第31-32页 | 2.3 控制图的主要统计原理 | 第32-37页 | 2.3.1 控制图的构成 | 第32页 | 2.3.2 控制图的两类错误 | 第32-33页 | 2.3.3 控制图和假设检验 | 第33-35页 | 2.3.4 控制限的计算 | 第35-36页 | 2.3.5 控制图的性能评价方法 | 第36-37页 | 2.3.6 控制图使用 | 第37页 | 2.4 控制图的选用 | 第37页 | 2.5 控制图的开发 | 第37-38页 | 2.6 本章小结 | 第38-39页 | 第三章 晶圆片加工的统计过程控制 | 第39-77页 | 3.1 引言 | 第39页 | 3.2 一阶嵌套位置效应模型及一些结论 | 第39-52页 | 3.2.1 一阶嵌套位置效应模型 | 第39-40页 | 3.2.2 一阶嵌套位置模型的相关结论 | 第40-52页 | 3.3 一阶嵌套位置效应的检验 | 第52-56页 | 3.3.1 一阶嵌套位置效应的检验方法 | 第52-54页 | 3.3.2 一阶嵌套位置效应检验实例 | 第54-56页 | 3.4 一阶嵌套位置效应对常规控制图的影响 | 第56-60页 | 3.4.1 一阶嵌套位置效应对标准偏差控制图的影响 | 第56-58页 | 3.4.2 一阶嵌套位置效应对极差控制图的影响 | 第58-60页 | 3.5 一阶嵌套位置效应控制图:方法一 | 第60-63页 | 3.5.1 均值控制图 | 第60-62页 | 3.5.2 无位置效应的标准偏差控制图 | 第62-63页 | 3.6 一阶嵌套位置效应控制图:方法二 | 第63-72页 | 3.6.1 均值控制图 | 第63页 | 3.6.2 片内标准偏差控制图 | 第63-66页 | 3.6.3 片内趋势控制图 | 第66-72页 | 3.7 两种统计过程控制方法的对比 | 第72页 | 3.8 片加工统计过程控制应用实例 | 第72-74页 | 3.9 本章总结 | 第74-77页 | 第四章 晶圆批加工的统计过程控制 | 第77-109页 | 4.1 引言 | 第77页 | 4.2 二阶嵌套位置效应模型及一些结论 | 第77-86页 | 4.2.1 二阶嵌套位置效应模型 | 第77-79页 | 4.2.2 二阶嵌套位置效应模型的相关结论 | 第79-86页 | 4.3 二阶嵌套位置效应的检验 | 第86-92页 | 4.3.1 二阶嵌套位置效应的检验方法 | 第86-89页 | 4.3.2 二阶嵌套位置效应检验实例 | 第89-92页 | 4.4 二阶嵌套位置效应控制图:方法一 | 第92-95页 | 4.4.1 批均值控制图 | 第92-93页 | 4.4.2 无位置效应的片间标准偏差控制图 | 第93-94页 | 4.4.3 无位置效应的片内标准偏差控制图 | 第94-95页 | 4.5 二阶嵌套位置效应控制图:方法二 | 第95-101页 | 4.5.1 批均值控制图 | 第96页 | 4.5.2 片间标准偏差控制图 | 第96-97页 | 4.5.3 片间趋势控制图 | 第97-98页 | 4.5.4 片内标准偏差控制图 | 第98-99页 | 4.5.5 片内趋势控制图 | 第99-101页 | 4.6 两种统计过程控制方法的对比 | 第101页 | 4.7 批加工统计过程控制应用示例 | 第101-106页 | 4.8 本章总结 | 第106-109页 | 第五章 零过多颗粒数的统计过程控制 | 第109-141页 | 5.1 引言 | 第109-110页 | 5.2 现有缺陷模型 | 第110-114页 | 5.2.1 泊松分布 | 第110-111页 | 5.2.2 ZIP模型 | 第111页 | 5.2.3 GZIP模型 | 第111-113页 | 5.2.4 Neyman模型 | 第113页 | 5.2.5 Gamma-Poission模型 | 第113-114页 | 5.3 阈值泊松分布模型 | 第114-116页 | 5.3.1 零过多现象出现的原因 | 第114页 | 5.3.2 阈值泊松分布模型 | 第114-115页 | 5.3.3 数学性质 | 第115-116页 | 5.4 阈值泊松分布参数估计 | 第116-118页 | 5.5 阈值泊松分布模型在实际应用中的优越性 | 第118-124页 | 5.6 基于阈值泊松分布模型的Shewhart控制图 | 第124-131页 | 5.6.1 TC控制图的控制限 | 第124-126页 | 5.6.2 建立TC控制图最小样本量 | 第126-129页 | 5.6.3 TC控制图的建立 | 第129-130页 | 5.6.4 TC控制图的性能评价 | 第130-131页 | 5.7 参数估计存在的一些问题 | 第131-135页 | 5.7.1 判决系数的近似计算 | 第131-132页 | 5.7.2 最大似然估计 | 第132-134页 | 5.7.3 卡方检验在零过多颗粒数中的局限性 | 第134-135页 | 5.8 基于阈值泊松分布模型的CUSUM和 EWMA控制图 | 第135-136页 | 5.8.1 基于阈值泊松分布模型的CUSUM控制图 | 第135-136页 | 5.8.2 基于阈值泊松分布模型的EWMA控制图 | 第136页 | 5.9 应用示例 | 第136-140页 | 5.10 本章总结 | 第140-141页 | 第六章 结论与展望 | 第141-143页 | 6.1 本文结论 | 第141-142页 | 6.2 未来展望 | 第142-143页 | 参考文献 | 第143-151页 | 附表一 | 第151-153页 | 致谢 | 第153-155页 | 作者简介 | 第155-157页 |
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