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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--SGOI、SODI新结构材料及其相关技术研究
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SGOI、SODI新结构材料及其相关技术研究
 
     论文目录
 
摘要第1-4页
Abstract第4-8页
目录第8-12页
第一章、前言第12-37页
   ·SOI技术第12-21页
     ·基本概念第12-13页
     ·SOI的优势及应用第13-15页
     ·SOI材料的主流制备技术第15-18页
     ·SOI器件固有物理问题第18-19页
     ·SOI技术发展的现状与展望第19-21页
   ·应变Si技术第21-29页
     ·基本概念第21-22页
     ·应变Si产生的途径第22-24页
     ·应变Si的优势第24-25页
     ·应变Si存在物理问题第25-26页
     ·应变Si技术的发展现状与未来商业市场第26-28页
     ·SGOI材料方面第28-29页
   ·高K栅介质材料第29-35页
     ·基本概念第29-30页
     ·高K栅介质材料的基本要求第30-31页
     ·国际研究进展第31-35页
     ·仍然存在的问题第35页
   ·本论文工作第35-37页
第二章、低应变SiGe生长及表征第37-56页
   ·引言第37-41页
     ·异质外延第37-38页
     ·SiGe薄膜生长的临界厚度第38-40页
     ·“容忍型”衬底的概念第40-41页
   ·SiGe薄膜的生长第41-44页
     ·超高真空化学气相沉积(UHVCVD)系统第41-44页
     ·实验流程第44页
   ·SiGe材料表征第44-51页
     ·俄歇电子能谱(AES)第44-45页
     ·四晶衍射(摇摆曲线)第45-49页
     ·Raman光谱第49-50页
     ·透射电镜第50-51页
   ·SiGe薄膜的应力释放第51-55页
     ·摇摆曲线第52-54页
     ·透射电镜第54-55页
   ·本章小结第55-56页
第三章、改良型Ge浓缩技术制备SGOI新结构及应变Si生长第56-79页
   ·SGOI材料的主流制备技术第56-61页
     ·SIMOX技术第56-58页
     ·键合技术第58-59页
     ·Smart-Cut技术第59页
     ·Ge浓缩技术第59-61页
   ·实验流程第61-62页
   ·SGOI材料的表征第62-71页
     ·透射电镜观察第62-63页
     ·X射线四晶衍射分析第63-65页
     ·原子力显微镜(AFM)观察第65-66页
     ·X射线光电子能谱(XPS)第66-67页
     ·Raman光谱第67-69页
     ·二次离子质谱(SIMS)第69-71页
   ·Ge浓缩技术中Ge原子运动机理第71-74页
   ·应变Si的生长第74-77页
     ·实验流程第74-75页
     ·应变Si材料的表征第75-77页
   ·本章小结第77-79页
第四章、埋层DLC的热稳定性研究第79-91页
   ·类金刚石薄膜概述第79-82页
     ·类金刚石薄膜的相结构第79-80页
     ·类金刚石薄膜制备方法第80-82页
   ·埋层DLC的制备第82-83页
   ·埋层DLC的热稳定性分析第83-90页
     ·Raman光谱第83-86页
     ·X射线光电子能谱(XPS)第86-89页
     ·高热稳定性的机理第89-90页
   ·本章小结第90-91页
第五章、以SiO_2/DLC为双绝缘埋层的新结构SODI材料第91-100页
   ·引言第91-92页
     ·自加热效应第91页
     ·SOD(Silicon-On-Diamond)材料第91-92页
   ·SODI新结构材料的制备第92-93页
   ·SODI新结构材料的表征与讨论第93-99页
     ·透射电镜分析第93-94页
     ·绝缘性能分析第94-95页
     ·SODI新结构在抑制自加热效应方面的研究第95-99页
   ·本章小结第99-100页
第六章、SGOI衬底上高K栅介质的研究第100-117页
   ·引言第100-101页
   ·实验流程第101-102页
   ·SGOI上高K栅介质材料的表征第102-115页
     ·Al_2O_3高K栅介质材料的AFM分析第102-103页
     ·Al_2O_3高K栅介质材料的TEM分析第103-104页
     ·Al_2O_3与SGOI之间界面产物的HRXPS分析第104-108页
     ·Al_2O_3高K栅介质材料的电学性能分析第108-109页
     ·Al_2O_3/ZrO_2/Al_2O_3高K栅介质材料的TEM分析第109-110页
     ·SGOI衬底上Al_2O_3/ZrO_2/Al_2O_3栅介质的HRXPS分析第110-112页
     ·Al_2O_3/ZrO_2/Al_2O_3高K栅介质材料的电学性能分析第112-113页
     ·Zr_(0.6)Al_(0.4)O_(1.8)栅介质材料的热稳定性第113-114页
     ·Zr_(0.6)Al_(0.4)O_(1.8)栅介质材料的TEM分析第114页
     ·SiGe上Zr_(0.6)Al_(0.4)O_(1.8)栅介质材料的元素分布第114-115页
   ·本章小结第115-117页
第七章、总结第117-119页
参考文献第119-129页
发表学术论文目录第129-134页
致谢第134-136页
个人简历第136-137页
学位论文独创性声明第137页
学位论文使用授权声明第137页

 
 
论文编号BS1154920,这篇论文共137
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