|
|
|
高k栅介质SiGe MOS器件电特性研究 |
|
论文目录 |
|
摘要 | 第1-5页 | Abstract | 第5-8页 | 1 绪论 | 第8-16页 | ·SiGe 材料基本特性及其研究意义 | 第8-9页 | ·SiGe 器件研究状况 | 第9-11页 | ·SiGe 器件与电路的产业化 | 第11-12页 | ·高k 栅介质研究概况 | 第12-13页 | ·迁移率模型研究概述 | 第13-14页 | ·本论文的主要工作和结构安排 | 第14-16页 | 2 应变Si_(1-x)Ge_x pMOSFET 反型沟道空穴低场迁移率模型 | 第16-24页 | ·Si_(1-x)Ge_x pMOSFET 空穴迁移率模型研究的意义 | 第16页 | ·反型沟道空穴低场迁移率模型的建立 | 第16-20页 | ·模拟结果及分析 | 第20-23页 | ·小结 | 第23-24页 | 3 高k 栅介质 Ge MOS 电容电特性研究 | 第24-38页 | ·测量方法介绍 | 第24-29页 | ·HfTiON 栅介质Ge MOS 电容 | 第29-32页 | ·HfTiO 栅介质Ge MOS 电容 | 第32-35页 | ·HfO_2、HfTiON 和HfTiO 栅介质的比较 | 第35-37页 | ·小结 | 第37-38页 | 4 高频C-V 测试平台的数据采集与处理 | 第38-60页 | ·高频C-V 测试原理 | 第38-39页 | ·MOS 电容测量原理 | 第39-40页 | ·测试仪电路设计 | 第40-41页 | ·数据采集卡 | 第41-44页 | ·重要的函数和概念 | 第44-46页 | ·数据采集程序 | 第46-48页 | ·高频C-V 测试仪PCB 板设计 | 第48-59页 | ·小结 | 第59-60页 | 5 总结 | 第60-62页 | 致谢 | 第62-63页 | 参考文献 | 第63-66页 | 附录 攻读学位期间发表论文目录 | 第66页 |
|
|
|
|
论文编号BS1428270,这篇论文共66页 会员购买按0.35元/页下载,共需支付23.1元。 直接购买按0.5元/页下载,共需要支付33元 。 |
|
|
我还不是会员,注册会员!
会员下载更优惠!充值送钱! |
我只需要这篇,无需注册!
直接网上支付,方便快捷! |
|
|
|
版权申明:本目录由www.jylw.com网站制作,本站并未收录原文,如果您是作者,需要删除本篇论文目录请通过QQ或其它联系方式告知我们,我们承诺24小时内删除。 |
|
|