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高k栅介质SiGe MOS器件电特性研究
 
     论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-8页
1 绪论第8-16页
   ·SiGe 材料基本特性及其研究意义第8-9页
   ·SiGe 器件研究状况第9-11页
   ·SiGe 器件与电路的产业化第11-12页
   ·高k 栅介质研究概况第12-13页
   ·迁移率模型研究概述第13-14页
   ·本论文的主要工作和结构安排第14-16页
2 应变Si_(1-x)Ge_x pMOSFET 反型沟道空穴低场迁移率模型第16-24页
   ·Si_(1-x)Ge_x pMOSFET 空穴迁移率模型研究的意义第16页
   ·反型沟道空穴低场迁移率模型的建立第16-20页
   ·模拟结果及分析第20-23页
   ·小结第23-24页
3 高k 栅介质 Ge MOS 电容电特性研究第24-38页
   ·测量方法介绍第24-29页
   ·HfTiON 栅介质Ge MOS 电容第29-32页
   ·HfTiO 栅介质Ge MOS 电容第32-35页
   ·HfO_2、HfTiON 和HfTiO 栅介质的比较第35-37页
   ·小结第37-38页
4 高频C-V 测试平台的数据采集与处理第38-60页
   ·高频C-V 测试原理第38-39页
   ·MOS 电容测量原理第39-40页
   ·测试仪电路设计第40-41页
   ·数据采集卡第41-44页
   ·重要的函数和概念第44-46页
   ·数据采集程序第46-48页
   ·高频C-V 测试仪PCB 板设计第48-59页
   ·小结第59-60页
5 总结第60-62页
致谢第62-63页
参考文献第63-66页
附录 攻读学位期间发表论文目录第66页

 
 
论文编号BS1428270,这篇论文共66
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