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抗辐射加固数字集成电路IO库设计 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第1-7页 | | ABSTRACT | 第7-12页 | | 缩略语对照表 | 第12-16页 | | 第一章 绪论 | 第16-20页 | | ·研究背景 | 第16-17页 | | ·国内外相关研究 | 第17-18页 | | ·论文的研究内容 | 第18页 | | ·论文的组织结构 | 第18-20页 | | 第二章 辐射效应与抗辐射加固设计方法的分析 | 第20-32页 | | ·空间辐射环境 | 第20-22页 | | ·地球辐射带 | 第20-21页 | | ·宇宙射线 | 第21-22页 | | ·空间辐射效应 | 第22-27页 | | ·总剂量辐射效应 | 第22-24页 | | ·中子辐射效应 | 第24页 | | ·瞬时辐射效应 | 第24页 | | ·单粒子效应 | 第24-27页 | | ·抗辐射加固设计方法 | 第27-31页 | | ·抗总剂量效应 | 第27-28页 | | ·抗单粒子效应 | 第28-31页 | | ·本章小结 | 第31-32页 | | 第三章 抗辐射加固IO库设计 | 第32-56页 | | ·设计目标 | 第32-33页 | | ·直流工作参数 | 第32-33页 | | ·单元列表 | 第33页 | | ·抗辐射加固参数 | 第33页 | | ·ESD防护设计 | 第33-41页 | | ·栅接地NMOS结构 | 第34-35页 | | ·栅耦合NMOS结构 | 第35-37页 | | ·ESD防护设计 | 第37-38页 | | ·ESD防护的版图设计 | 第38-41页 | | ·IO单元的抗辐射加固设计 | 第41-44页 | | ·IO的版图布局 | 第41-42页 | | ·抗辐射加固设计 | 第42-44页 | | ·输入IO单元的设计 | 第44-48页 | | ·PI单元 | 第44-45页 | | ·PIU和PID单元 | 第45-46页 | | ·PIS单元 | 第46-48页 | | ·输出IO单元的设计 | 第48-52页 | | ·PO4单元 | 第48-52页 | | ·PO8单元 | 第52页 | | ·电源和地单元的设计 | 第52-54页 | | ·PVDD1单元 | 第52页 | | ·PVDD2单元 | 第52-53页 | | ·PVSS3单元 | 第53-54页 | | ·本章小结 | 第54-56页 | | 第四章 抗辐射加固IO库的验证 | 第56-68页 | | ·IO单元的物理验证 | 第56-57页 | | ·DRC验证 | 第56页 | | ·LVS验证 | 第56-57页 | | ·IO单元的仿真验证 | 第57-63页 | | ·PI单元 | 第57-58页 | | ·PIU和PID单元 | 第58-60页 | | ·PIS单元 | 第60-61页 | | ·PO4单元 | 第61-62页 | | ·PVDD2单元 | 第62-63页 | | ·性能的分析 | 第63-67页 | | ·ESD防护性能 | 第63-65页 | | ·抗总剂量辐射效应 | 第65-66页 | | ·抗单粒子闩锁效应 | 第66-67页 | | ·本章小结 | 第67-68页 | | 第五章 总结和展望 | 第68-70页 | | ·总结 | 第68-69页 | | ·展望 | 第69-70页 | | 参考文献 | 第70-72页 | | 致谢 | 第72-74页 | | 作者简介 | 第74页 |
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论文编号BS2435970，这篇论文共74页
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