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低气压双频容性耦合电负性等离子体物理特性的研究
 
     论文目录
 
摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
主要符号表第19-21页
1 绪论第21-39页
    1.1 低温等离子体在集成电路工业中的应用第21-22页
    1.2 低温射频等离子体源的简介第22-24页
    1.3 DF-CCP研究进展第24-26页
    1.4 DF-CCP研究的热点问题第26-36页
        1.4.1 离子通量和能量的独立控制第26-28页
        1.4.2 高低频的耦合效应第28-31页
        1.4.3 离子能量分布第31-33页
        1.4.4 驱动频率效应第33-36页
    1.5 DF-CCP研究存在的问题第36-37页
    1.6 本文研究内容安排第37-39页
2 实验装置、诊断方法及数值模型第39-50页
    2.1 实验装置第39页
    2.2 诊断方法第39-48页
        2.2.1 微波发卡探针第39-44页
        2.2.2 光探针第44-45页
        2.2.3 四极杆质谱仪第45-47页
        2.2.4 电压-电流探测器第47-48页
    2.3 数值模型简介第48-49页
        2.3.1 PIC/MC模型第48页
        2.3.2 流体模型第48-49页
    2.4 本章小结第49-50页
3 O_2和Ar/O_2放电中的电子密度第50-68页
    3.1 引言第50-51页
    3.2 结果与讨论第51-67页
        3.2.1 高频功率的影响第51-55页
        3.2.2 低频功率的影响第55-59页
        3.2.3 气压的影响第59-63页
        3.2.4 电子密度的空间分布第63-64页
        3.2.5 Ar/O_2混合气体放电中的电子密度第64-67页
    3.3 本章小结第67-68页
4 Ar/O_2混合气体放电中的离子能量分布第68-85页
    4.1 引言第68页
    4.2 结果与讨论第68-84页
        4.2.1 极板电压第68-71页
        4.2.2 Ar~+和O_2~+离子能量分布第71-75页
        4.2.3 低频频率的影响第75-78页
        4.2.4 低频功率的影响第78-79页
        4.2.5 气压的影响第79-81页
        4.2.6 高频功率的影响第81-83页
        4.2.7 误差分析第83-84页
    4.3 本章小结第84-85页
5 Ar/CF_4和Ar/O_2/CF_4混合气体放电中的电子密度和离子能量分布第85-97页
    5.1 引言第85页
    5.2 结果与讨论第85-95页
        5.2.1 电子密度第86-91页
        5.2.2 离子能量分布第91-95页
    5.3 本章小结第95-97页
6 O_2放电中的驱动频率效应第97-111页
    6.1 引言第97页
    6.2 实验设备简介第97-99页
    6.3 结果与讨论第99-109页
        6.3.1 吸收功率第99-100页
        6.3.2 在固定吸收功率条件下驱动频率对电子密度的影响第100-106页
        6.3.3 在固定极板电压条件下驱动频率对电子密度的影响第106-109页
    6.4 本章小结第109-111页
7 结论与展望第111-114页
    7.1 主要结论第111-112页
    7.2 创新点第112页
    7.3 展望第112-114页
参考文献第114-123页
攻读博士学位期间科研项目及科研成果第123-125页
致谢第125页

 
 
论文编号BS2717520,这篇论文共125
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