摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
第1章 引言 | 第12-34页 |
1.1 磁约束聚变能与Tokamak装置 | 第12-14页 |
1.2 包层与包层结构材料 | 第14-22页 |
1.3 氢同位素在包层结构材料中的渗透滞留行为 | 第22-32页 |
1.4 本论文的内容及结构框架 | 第32-34页 |
第2章 实验材料、平台及分析测试方法 | 第34-51页 |
2.1 实验材料 | 第34-35页 |
2.2 主要实验平台 | 第35-43页 |
2.3 微观分析测试方法 | 第43-47页 |
2.4 SRIM程序模拟 | 第47-50页 |
2.5 本章小结 | 第50-51页 |
第3章 辐照损伤对氢同位素在CLF-1钢中的渗透滞留行为影响 | 第51-62页 |
3.1 本章引论 | 第51页 |
3.2 氢同位素在CLF-1钢中的渗透行为研究 | 第51-55页 |
3.3 3.5MeV氦离子辐照SRIM模拟 | 第55-56页 |
3.4 氦离子辐照对氢同位素在CLF-1钢中渗透行为的影响 | 第56-58页 |
3.5 氦离子辐照对氢同位素在CLF-1钢中滞留行为的影响 | 第58-59页 |
3.6 本章小结 | 第59-60页 |
3.7 本章内容展望 | 第60-62页 |
第4章 阻氚涂层对氢同位素渗透行为影响 | 第62-86页 |
4.1 阻氚涂层研究背景 | 第62页 |
4.2 HTUPS钢热氧化后的氢渗透行为研究 | 第62-68页 |
4.3 Fe-Cr-Al铁素体钢热氧化后的阻氢性能分析 | 第68-73页 |
4.4 辐照对热氧化Fe-Cr-Al钢阻氢性能的影响 | 第73-83页 |
4.5 本章小结 | 第83-84页 |
4.6 本章内容展望 | 第84-86页 |
第5章 等离子体暴露下结构材料表面形貌演化及氢同位素滞留行为 | 第86-108页 |
5.0 本章引论 | 第86页 |
5.1 包层结构材料在EAST托卡马克中等离子体暴露实验 | 第86-89页 |
5.2 钨涂层对包层结构材料在EAST中等离子体暴露行为的影响 | 第89-94页 |
5.3 氦等离子体暴露对F82H钢中氘滞留的影响 | 第94-104页 |
5.4 本章小结 | 第104-106页 |
5.5 本章内容展望 | 第106-108页 |
第6章 结论与展望 | 第108-111页 |
6.1 结论 | 第108-110页 |
6.2 后续工作展望 | 第110-111页 |
参考文献 | 第111-120页 |
致谢 | 第120-122页 |
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第122-124页 |