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场效应器件论文

碳化硅基VDMOS器件SPICE模型研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第8-20页
    1.1 课题背景及意义第8-13页
    1.2 国内外研究现状第13-17页
    1.3 论文主要工作及设计指标第17-18页
    1.4 论文组织结构第18-20页
第二章 碳化硅基VDMOS器件基本结构和特性第20-26页
    2.1 碳化硅基VDMOS器件基本结构第20页
    2.2 碳化硅基VDMOS器件直流特性第20-22页
    2.3 碳化硅基VDMOS器件交流特性第22-23页
    2.4 碳化硅基VDMOS器件特殊性第23-24页
    2.5 本章小结第24-26页
第三章 碳化硅基VDMOS器件直流模型第26-52页
    3.1 沟道区直流模型第26-37页
    3.2 积累区直流模型第37-40页
    3.3 JFET区直流模型第40-42页
    3.4 N-外延层区直流模型第42-43页
    3.5 N+衬底区直流模型第43页
    3.6 二级物理效应模型第43-51页
    3.7 本章小结第51-52页
第四章 碳化硅基VDMOS器件交流模型第52-62页
    4.1 电容模型和电荷划分第52-54页
    4.2 沟道区端电荷模型第54-59页
    4.3 积累区端电荷模型第59-61页
    4.4 JFET区端电荷模型第61页
    4.5 本章小结第61-62页
第五章 碳化硅基VDMOS器件模型的实现与验证第62-76页
    5.1 模型代码的实现及优化第62-65页
    5.2 模型数据测试第65-66页
    5.3 模型参数提取第66-69页
    5.4 模型验证第69-74页
    5.5 本章小结第74-76页
第六章 总结与展望第76-78页
    6.1 总结第76页
    6.2 展望第76-78页
致谢第78-80页
参考文献第80-84页
硕士期间取得的成果第84页
碳化硅论文 VDMOS论文 界面态论文 SPICE模型论文
论文编号BS3163120,这篇论文共84
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