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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--高K氧化物绝缘栅GaAs半导体MOS-HEMT器件的数值模拟研究
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高K氧化物绝缘栅GaAs半导体MOS-HEMT器件的数值模拟研究
 
     论文目录
 
致谢第3-4页
摘要第4-5页
abstract第5-6页
变量注释表第14-15页
1 绪论第15-21页
    1.1 半导体器件发展趋势第15页
    1.2 MOS-HEMT器件研究第15-17页
    1.3 理论原理第17-20页
    1.4 论文内容安排第20-21页
2 体材料的电子性质第21-31页
    2.1 砷化镓体材料的电子性质第21-23页
    2.2 钛酸钡(BTO)体材料的电子性质第23-26页
    2.3 铝酸镧(LAO)体材料的电子性质第26-28页
    2.4 CeO_2体材料的电子性质第28-31页
3 半导体GaAs/CeO_2栅介质异质结的稳定性和能带偏移第31-38页
    3.1 引言第31页
    3.2 方法第31-33页
    3.3 结果讨论第33-37页
    3.4 总结第37-38页
4 半导体GaAs/BaTiO_3栅介质异质结的稳定性和能带偏移第38-45页
    4.1 引言第38-39页
    4.2 方法第39-40页
    4.3 结果讨论第40-44页
    4.4 总结第44-45页
5 半导体GaAs/LaAlO_3栅介质异质结的稳定性和能带偏移第45-50页
    5.1 引言第45页
    5.2 方法第45-46页
    5.3 结果讨论第46-49页
    5.4 总结第49-50页
6 总结与展望第50-52页
参考文献第52-59页
作者简历第59-61页
学位论文数据集第61页

 
 
论文编号BS4034620,这篇论文共61
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