| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章绪论 | 第10-23页 |
| 1.1引言 | 第10页 |
| 1.2阻变式随机存储器 | 第10-13页 |
| 1.3量子点及其应用 | 第13页 |
| 1.4氧化石墨烯量子点在忆阻器中的应用 | 第13-14页 |
| 1.5导电原子力显微镜在纳米材料电学性质分析中的应用 | 第14-15页 |
| 1.6本文研究的主要内容及意义 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-23页 |
| 第二章商用氧化石墨烯量子点的质量统计分析 | 第23-34页 |
| 2.1引言 | 第23-24页 |
| 2.2实验部分 | 第24-25页 |
| 2.2.1实验仪器及材料试剂 | 第24页 |
| 2.2.2样品的制备与表征 | 第24-25页 |
| 2.3结果与讨论 | 第25-29页 |
| 2.3.1氧化石墨烯量子点的发光研究 | 第25-26页 |
| 2.3.2不同超声时间对量子点大小的影响分析 | 第26-28页 |
| 2.3.3单个量子点的内部结构分析 | 第28-29页 |
| 2.4本章小结 | 第29页 |
| 参考文献 | 第29-34页 |
| 第三章基于氧化石墨烯量子点及二氧化铪的忆阻器 | 第34-54页 |
| 3.1引言 | 第34-35页 |
| 3.2实验仪器及材料 | 第35-37页 |
| 3.3器件的制备和表征方法 | 第37-40页 |
| 3.3.1GOQDs器件的制备 | 第37页 |
| 3.3.2Au/HfO2/Au/Ti/300nmSiO2器件的制备 | 第37-38页 |
| 3.3.3器件的表征方法 | 第38-40页 |
| 3.4结果与讨论 | 第40-47页 |
| 3.4.1GOQD表面形貌表征 | 第40-41页 |
| 3.4.2n++Si的电学性质表征 | 第41-42页 |
| 3.4.3GOQDs/n++Si的电学性质表征 | 第42-43页 |
| 3.4.4Au/Ti/HfO2/Au/Ti结构的电学性质表征 | 第43-47页 |
| 3.4.4.1不同绝缘层厚度的器件电学表征 | 第43-45页 |
| 3.4.4.2不同温度下器件的击穿前电学表征 | 第45-47页 |
| 3.5本章小结 | 第47页 |
| 参考文献 | 第47-54页 |
| 第四章导电原子力显微镜与sourcemeter的联用 | 第54-67页 |
| 4.1引言 | 第54-55页 |
| 4.2实验仪器及材料试剂 | 第55-56页 |
| 4.3实验方法 | 第56-61页 |
| 4.3.1100nmAu/n++Si样品的制备 | 第56-57页 |
| 4.3.22nmTiO2/SiO2/Si样品的制备 | 第57-58页 |
| 4.3.3CAFM与sourcemeter的连接方法 | 第58-60页 |
| 4.3.4样品的表征 | 第60-61页 |
| 4.4结果与讨论 | 第61-64页 |
| 4.4.1不同模式下结果对比分析 | 第61-62页 |
| 4.4.2新的系统附件对2nmTiO2/SiOx/Si样品的分析 | 第62-64页 |
| 4.5本章小结 | 第64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 第五章全文总结与展望 | 第67-69页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
广告服务 
