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功率集成与0.35微米BCD工艺研究
论文目录
摘要
第1-3页
Abstract
第3-6页
第一章 引言
第6-11页
·引言
第6-7页
·功率集成技术分类
第7-8页
·BCD功率集成工艺技术发展历史
第8页
·BCD功率集成工艺技术市场应用
第8-10页
·BCD功率集成工艺技术未来发展方向简介
第10-11页
第二章 0.35微米BCD工艺技术简介
第11-17页
·引言
第11页
·0.35微米BCD技术基本器件
第11页
·0.35微米BCD技术基本工艺
第11-16页
·Bipolar工艺
第11-14页
·CMOS工艺
第14页
·DMOS工艺
第14-16页
·双扩散DMOS工艺
第14-15页
·自对准DMOS工艺
第15-16页
·0.35微米BCD工艺的市场定位与竞争能力
第16-17页
第三章 0.35微米BCD工艺技术难点剖析
第17-23页
·引言
第17页
·导通电阻与击穿电压平衡
第17-19页
·DMOS作为功率器件的安全工作区与可靠性问题
第19-22页
·电场安全工作区
第20-21页
·热安全工作区
第21页
·热载流子安全工作区
第21页
·可靠性问题
第21-22页
·ESD可靠性
第21页
·DV/DT可靠性
第21-22页
·结论
第22-23页
第四章 0.35微米BCD工艺技术难点解决方案
第23-35页
·导通电阻与击穿电压平衡
第23-31页
·DMOS作为功率器件的安全工作区与可靠性问题
第31-35页
第五章 BCD工艺技术现状及发展趋势
第35-38页
·高压BCD的现状及展望
第36页
·高密度BCD工艺技术现状及展望
第36页
·高功率BCD工艺技术现状及展望
第36-38页
第六章 总结
第38-39页
参考文献
第39-40页
论文编号
BS560720
,这篇论文共
40
页
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