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当前位置:教育论文中心首页--博士论文--二维拓扑绝缘体的自旋陈数与拓扑性质的研究
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二维拓扑绝缘体的自旋陈数与拓扑性质的研究
 
     论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-11页
目录第11-13页
第一章 绪论第13-45页
 第一节 引言第13-15页
 第二节 拓扑绝缘体的简介第15-25页
   ·Kane-Mele模型第15-18页
   ·二维HgTe/CdTe量子阱第18-20页
   ·三维拓扑绝缘体第20-23页
   ·三维拓扑绝缘体薄膜第23-25页
 第三节 拓扑不变量第25-38页
   ·Laughlin规范不变性第26-27页
   ·Berry相第27-29页
   ·TKNN不变量第29-31页
   ·Z_2拓扑数第31-34页
   ·自旋陈数第34-38页
 参考文献第38-45页
第二章 拓扑绝缘体薄膜中的自旋陈数第45-61页
 第一节 研究背景第45-46页
 第二节 拓扑绝缘体薄膜系统中的量子相变第46-55页
   ·空间反演不对称系统的赝自旋陈数第46-52页
   ·时间反演对称性破缺下的多重量子相变第52-55页
 第三节 晶格模型及其边缘态第55-58页
   ·四方晶格模型第55-56页
   ·六角晶格模型第56-58页
 第四节 本章小结第58-59页
 参考文献第59-61页
第三章 拓扑绝缘体薄膜中的量子霍尔效应第61-76页
 第一节 研究背景第61-62页
 第二节 拓扑绝缘体薄膜的量子反常霍尔效应第62-64页
 第三节 拓扑绝缘体薄膜和Haldane模型的拓扑等价第64-66页
 第四节 垂直磁场下拓扑绝缘体薄膜的量子霍尔效应第66-70页
   ·理论模型第66-67页
   ·霍尔电导率第67-70页
 第五节 本章小结第70-72页
 参考文献第72-76页
第四章 边缘态和体的自旋陈数的关系第76-88页
 第一节 研究背景第76-77页
 第二节 拓扑性理解第77-78页
 第三节 边缘态和自旋能谱第78-82页
 第四节 无能隙边缘态的稳定性第82-84页
 第五节 本章小结第84-85页
 参考文献第85-88页
第五章 一种稳定的量子自旋霍尔效应第88-103页
 第一节 研究背景第88-89页
 第二节 理论模型和计算第89-90页
 第三节 系统边缘态的性质第90-94页
 第四节 磁性掺杂系统的无序效应第94-97页
 第五节 本章小结第97-99页
 参考文献第99-103页
第六章 总结与展望第103-109页
 第一节 总结第103-104页
 第二节 展望第104-106页
 参考文献第106-109页
博士期间发表和待发表的论文第109-111页
致谢第111-113页

 
 
论文编号BS1916921,这篇论文共113
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