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二维拓扑绝缘体的自旋陈数与拓扑性质的研究 |
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论文目录 |
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摘要 | 第1-7页 | Abstract | 第7-11页 | 目录 | 第11-13页 | 第一章 绪论 | 第13-45页 | 第一节 引言 | 第13-15页 | 第二节 拓扑绝缘体的简介 | 第15-25页 | ·Kane-Mele模型 | 第15-18页 | ·二维HgTe/CdTe量子阱 | 第18-20页 | ·三维拓扑绝缘体 | 第20-23页 | ·三维拓扑绝缘体薄膜 | 第23-25页 | 第三节 拓扑不变量 | 第25-38页 | ·Laughlin规范不变性 | 第26-27页 | ·Berry相 | 第27-29页 | ·TKNN不变量 | 第29-31页 | ·Z_2拓扑数 | 第31-34页 | ·自旋陈数 | 第34-38页 | 参考文献 | 第38-45页 | 第二章 拓扑绝缘体薄膜中的自旋陈数 | 第45-61页 | 第一节 研究背景 | 第45-46页 | 第二节 拓扑绝缘体薄膜系统中的量子相变 | 第46-55页 | ·空间反演不对称系统的赝自旋陈数 | 第46-52页 | ·时间反演对称性破缺下的多重量子相变 | 第52-55页 | 第三节 晶格模型及其边缘态 | 第55-58页 | ·四方晶格模型 | 第55-56页 | ·六角晶格模型 | 第56-58页 | 第四节 本章小结 | 第58-59页 | 参考文献 | 第59-61页 | 第三章 拓扑绝缘体薄膜中的量子霍尔效应 | 第61-76页 | 第一节 研究背景 | 第61-62页 | 第二节 拓扑绝缘体薄膜的量子反常霍尔效应 | 第62-64页 | 第三节 拓扑绝缘体薄膜和Haldane模型的拓扑等价 | 第64-66页 | 第四节 垂直磁场下拓扑绝缘体薄膜的量子霍尔效应 | 第66-70页 | ·理论模型 | 第66-67页 | ·霍尔电导率 | 第67-70页 | 第五节 本章小结 | 第70-72页 | 参考文献 | 第72-76页 | 第四章 边缘态和体的自旋陈数的关系 | 第76-88页 | 第一节 研究背景 | 第76-77页 | 第二节 拓扑性理解 | 第77-78页 | 第三节 边缘态和自旋能谱 | 第78-82页 | 第四节 无能隙边缘态的稳定性 | 第82-84页 | 第五节 本章小结 | 第84-85页 | 参考文献 | 第85-88页 | 第五章 一种稳定的量子自旋霍尔效应 | 第88-103页 | 第一节 研究背景 | 第88-89页 | 第二节 理论模型和计算 | 第89-90页 | 第三节 系统边缘态的性质 | 第90-94页 | 第四节 磁性掺杂系统的无序效应 | 第94-97页 | 第五节 本章小结 | 第97-99页 | 参考文献 | 第99-103页 | 第六章 总结与展望 | 第103-109页 | 第一节 总结 | 第103-104页 | 第二节 展望 | 第104-106页 | 参考文献 | 第106-109页 | 博士期间发表和待发表的论文 | 第109-111页 | 致谢 | 第111-113页 |
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