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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--基于In-Ga-Zn-O薄膜的透明阻变及自整流特性研究
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基于In-Ga-Zn-O薄膜的透明阻变及自整流特性研究
 
     论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-11页
第1章 引言第11-25页
   ·新一代非挥发性存储器第11-17页
     ·铁电存储器(FRAM)第12-13页
     ·磁性存储器(MRAM)第13页
     ·相变存储器(PCRAM)第13-14页
     ·阻变存储器(RRAM)第14-17页
   ·阻变存储器的存储机理第17-22页
     ·空间电荷限制电流理论(SCLC)第18-19页
     ·导电细丝机制(Filament)第19-20页
     ·跳跃电导(Hopping)第20-21页
     ·肖特基发射效应第21-22页
     ·Fowler-Nordheim(F-N)隧穿第22页
   ·铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)薄膜第22-23页
   ·论文的研究内容及意义第23-25页
第2章 α-IGZO/SrTiO3/α-IGZO双极型透明阻变存储器第25-34页
   ·实验方法及步骤第25-27页
     ·制备薄膜的方法第25-27页
     ·实验过程第27页
   ·实验结果与讨论第27-33页
     ·α-IGZO/STO/α-IGZO透明阻变存储器的光学特性第27-28页
     ·薄膜的结构表征第28-29页
     ·α-IGZO/STO/α-IGZO透明阻变存储器的电学特性第29-30页
     ·α-IGZO/STO/α-IGZO透明阻变存储器的导电机制第30-33页
   ·实验结论第33-34页
第3章 高透明度的α-IGZO/Ga2O3/α-IGZO阻变存储器第34-43页
   ·实验制备过程第34-35页
   ·实验结果与讨论第35-42页
     ·IGZO/Ga2O3/IGZO器件的结构和光学特性第35-37页
     ·IGZO/Ga2O3/IGZO器件的电学特性第37-39页
     ·IGZO/Ga2O3/IGZO器件的存储机制第39-42页
   ·实验结果第42-43页
第4章 具有自整流特性的Ag/In-Ga-Zn-O/Pt阻变存储器第43-50页
   ·实验的制备工艺第43页
   ·实验的结果与讨论第43-49页
     ·Ag/In-Ga-Zn-O/Pt阻变存储器的电学特性第43-46页
     ·Ag/In-Ga-Zn-O/Pt阻变存储器的存储机制第46-49页
   ·实验结论第49-50页
结论与展望第50-52页
参考文献第52-57页
致谢第57-58页
攻读硕士期间发表的学术论文第58页

 
 
论文编号BS2345871,这篇论文共58
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