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当前位置:教育论文中心首页--硕士论文--纵向宽度渐变型功率VDMOS器件的研究
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纵向宽度渐变型功率VDMOS器件的研究
 
     论文目录
 
摘要第6-7页
abstract第7-8页
第1章 绪论第11-18页
    1.1 研究背景及其发展现状第11-13页
    1.2 功率半导体器件基本特性及其耐压层第13-15页
    1.3 功率VDMOS器件第15-17页
    1.4 本文主要研究内容第17-18页
第2章 SJ-VDMOS器件与Hk-VDMOS器件的研究第18-26页
    2.1 SJ-VDMOS器件第18-22页
    2.2 Hk-VDMOS器件第22-24页
    2.3 功率半导体器件优化技术以及研究方法第24-25页
    2.4 本章小结第25-26页
第3章 纵向宽度渐变型Hk-VDMOS器件的建模研究第26-43页
    3.1 纵向宽度渐变型Hk-VDMOS器件第26-31页
        3.1.1 器件的结构特征和工作机理第26-29页
        3.1.2 关键结构参数对雪崩击穿的影响第29-31页
    3.2 器件的电势分布和电场分布解析模型第31-36页
        3.2.1 建立器件的电势分布和电场分布解析模型第31-34页
        3.2.2 基于电场分布解析模型的验证与分析第34-36页
    3.3 器件的击穿电压和比导通电阻第36-42页
        3.3.1 器件的耐压解析模型第37-39页
        3.3.2 器件的比导通电阻解析模型第39-41页
        3.3.3 器件的比导通电阻与击穿电压折衷关系及其优化第41-42页
    3.4 本章小结第42-43页
第4章 纵向宽度渐变型Hk-SJ-VDMOS器件的研究第43-57页
    4.1 纵向宽度渐变型Hk-SJ-VDMOS器件第43-46页
        4.1.1 器件的结构特征第43-45页
        4.1.2 器件的工作机理第45-46页
    4.2 器件关键结构参数分析第46-52页
        4.2.1 关键结构参数对雪崩击穿的影响第47-49页
        4.2.2 关键结构参数对击穿电压和比导通电阻的影响第49-52页
    4.3 几种相似器件的性能对比第52-54页
        4.3.1 比导通电阻与击穿电压折衷关系第52-53页
        4.3.2 正向导电特性与开关特性第53-54页
    4.4 器件的制造工艺流程第54-56页
    4.5 本章小结第56-57页
第5章 总结与展望第57-59页
致谢第59-60页
参考文献第60-65页
攻读学位期间发表的论文和获奖情况第65-66页

 
 
论文编号BS4398571,这篇论文共66
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