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采用IGZO TFTs的AMOLED外围驱动电路设计与仿真 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第1-5页 | | Abstract | 第5-10页 | | 第1章 绪论 | 第10-23页 | | ·现代显示技术简介 | 第10-13页 | | ·OLED 显示技术的基本原理以及研究现状 | 第13-16页 | | ·OLED 显示的基本原理 | 第13-14页 | | ·OLED 显示的特点 | 第14页 | | ·OLED 显示的分类 | 第14-16页 | | ·AMOLED 驱动技术的实现方案 | 第16-19页 | | ·a-Si TFT 技术 | 第16-17页 | | ·p-Si TFT 技术 | 第17-18页 | | ·氧化物半导体技术 | 第18-19页 | | ·a-IGZO TFT 简介 | 第19-20页 | | ·AMOLED 驱动电路简介 | 第20-22页 | | ·像素驱动电路 | 第20-21页 | | ·外围驱动电路 | 第21-22页 | | ·论文的主要内容 | 第22-23页 | | 第2章 NMOS 构成的基本门电路仿真与验证 | 第23-30页 | | ·NMOS 构成的反相器 | 第23-24页 | | ·NMOS 构成的二输入与非门 | 第24-25页 | | ·NMOS 构成的二输入或非门 | 第25-27页 | | ·NMOS 构成的传输门 | 第27-28页 | | ·NMOS 构成的三态门 | 第28-29页 | | ·本章小节 | 第29-30页 | | 第3章 a-IGZO TFTs 构成的基本门电路仿真设计与验证 | 第30-44页 | | ·level 61 模型简介 | 第30-31页 | | ·a-IGZO TFTs 构成的反相器 | 第31-33页 | | ·a-IGZO TFTs 构成的与非门 | 第33-35页 | | ·a-IGZO TFTs 构成的或非门 | 第35-37页 | | ·a-IGZO TFTs 构成的传输门 | 第37-38页 | | ·a-IGZO TFTs 构成的三态门 | 第38-40页 | | ·a-IGZO TFTs 构成的移位寄存器 | 第40-43页 | | ·本章小结 | 第43-44页 | | 第4章 a-IGZO TFTs 构成的外围驱动电路 | 第44-51页 | | ·a-IGZO TFTs 构成的行驱动电路仿真与验证 | 第45-47页 | | ·a-IGZO TFTs 构成的列驱动电路设计 | 第47-50页 | | ·列驱动移位寄存器 | 第48页 | | ·列数据锁存器简介 | 第48-49页 | | ·数模转换器（DAC）简介 | 第49-50页 | | ·Block 电路介绍 | 第50页 | | ·本章小结 | 第50-51页 | | 结论 | 第51-52页 | | 参考文献 | 第52-55页 | | 攻读硕士期间发表的论文 | 第55-56页 | | 致谢 | 第56页 |
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论文编号BS54221，这篇论文共56页
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