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集成电路Cu互连工艺中的Ta基扩散阻挡层研究 |
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| 论文目录 |
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| 中文摘要 | 第1-7页 | | 第一章 引言 | 第7-25页 | | 1．1 互连的定义和面临的挑战 | 第7-9页 | | 1．2 Cu金属化 | 第9-12页 | | 1．3 阻挡层材料 | 第12-17页 | | 1．4 Cu互连工艺 | 第17-22页 | | 1．5 Cu互连的应用和发展状况 | 第22-23页 | | 1．6 本论文的主要研究工作 | 第23-25页 | | 第二章 实验原理 | 第25-35页 | | 2．1 样品制备方法 | 第25-28页 | | 2．1．1 溅射工艺 | 第25-26页 | | 2．1．2 CVD工艺． | 第26页 | | 2．1．3 离子注入工艺 | 第26-28页 | | 2．2 样品组织结构分析方法 | 第28-34页 | | 2．2．1 电子显微镜 | 第29-34页 | | 2．2．2 其他分析技术 | 第34页 | | 2．3 本论文的主要实验手段 | 第34-35页 | | 第三章 Ta/Cu/Ta/Si-sub系统 | 第35-62页 | | 3．1 有关Ta扩散阻挡层的文献回顾 | 第35-36页 | | 3．2 样品设计 | 第36页 | | 3．3 实验结果与讨论 | 第36-58页 | | 3．3．1 薄膜电阻四探针法测量 | 第36-37页 | | 3．3．2 表面形貌SEM测量 | 第37-39页 | | 3．3．3 深度分布RBS测量 | 第39-40页 | | 3．3．4 界面与微结构TEM观察 | 第40-44页 | | 3．3．5 氧在样品中的含量与分布 | 第44-46页 | | 3．3．6 O对Cu在Ta1和Ta2层中热扩散的影响 | 第46-49页 | | 3．3．7 Cu在Ta中的晶界扩散 | 第49-58页 | | 3．4 热动力学讨论 | 第58-61页 | | 3．5 总结 | 第61-62页 | | 第四章 Cu/TaN/Si-sub系统 | 第62-77页 | | 4．1 有关TaN的文献回顾 | 第62页 | | 4．2 样品设计 | 第62-63页 | | 4．3 实验结果与讨论 | 第63-74页 | | 4．3．1 表面形貌SEM测量 | 第63-64页 | | 4．3．2 深度分布RBS测量 | 第64-66页 | | 4．3．3 界面与微结构TEM观察 | 第66-71页 | | 4．3．4 深度分布EDS测量 | 第71-72页 | | 4．3．5 Cu在TaN薄膜中的晶界扩散 | 第72-74页 | | 4．4 热动力学讨论 | 第74-76页 | | 4．5 总结 | 第76-77页 | | 第五章 注入工艺Ta-N阻挡层 | 第77-98页 | | 5．1 有关注入阻挡层的文献回顾 | 第77页 | | 5．2 样品设计 | 第77-78页 | | 5．3 实验结果与讨论 | 第78-95页 | | 5．3．1 薄膜电阻四探针法测量 | 第78-79页 | | 5．3．2 表面形貌SEM测量 | 第79-84页 | | 5．3．3 深度分布RBS测量 | 第84-86页 | | 5．3．4 深度分布SIMS测量 | 第86-89页 | | 5．3．5 剖面样品TEM观测 | 第89-95页 | | 5．4 离子注入对Ta扩散阻挡层的影响 | 第95-97页 | | 5．4．1 Ta的非晶化 | 第95-96页 | | 5．4．2 离子注入的损伤 | 第96-97页 | | 5．5 总结 | 第97-98页 | | 第六章 结论 | 第98-101页 | | 参考文献 | 第101-107页 | | 致谢 | 第107-108页 |
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论文编号BS893321，这篇论文共108页
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