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超深亚微米集成电路铜互连可靠性研究
 
     论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-9页
第一章 绪论第9-14页
   ·研究背景第9-11页
   ·铜互连技术的发展及存在的主要问题第11-13页
   ·本文的研究内容第13-14页
第二章 铜互连工艺第14-24页
   ·铜互连工艺流程第14-16页
   ·铜的阻挡层材料第16-18页
   ·铜的淀积工艺第18-20页
   ·铜的平坦化工艺第20-22页
   ·铜互连中的低K材料第22-24页
第三章 铜互连电迁移研究第24-33页
   ·铜互连和铝互连的比较第24-27页
     ·材料特性比较第24页
     ·互连制造工艺比较第24-26页
     ·互连结构的比较第26-27页
   ·电迁移物理第27-30页
     ·电迁移中的离子流第27-29页
     ·电迁移失效的物理参数第29-30页
   ·影响铜互连电迁移的主要因素第30-33页
第四章 铜互连应力研究第33-45页
   ·物理模型第33-36页
   ·无限及半无限长互连线第36-38页
   ·有限长互连线第38-39页
   ·模拟结果及分析第39-45页
第五章 阻挡层对铜互连电迁移影响的研究第45-51页
   ·阻挡层对电迁移的影响第45页
   ·物理模型第45-47页
   ·数值分析第47-50页
     ·DC偏置第47-49页
     ·DC脉冲偏置第49-50页
   ·结论第50-51页
第六章 结束语第51-53页
致谢第53-54页
参考文献第54-57页
研究成果第57-58页
 
 
论文编号BS1333772，这篇论文共58页
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